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公开(公告)号：CN1716462A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077852.1
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β－二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN1513189A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811026.9
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β－二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN100356483C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510077852.1
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β-二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN1249734C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02811026.9
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β-二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN102033076A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010299975.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N23/225 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种检查装置和检查方法。能够对形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板高精度地进行应作为导电部的部位变成绝缘部的缺陷的检查。在真空容器(21)内的载置台(22)上载置其表层部形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板(晶片W)。然后，对上述晶片(W)照射电荷密度为6.7×10-3C/nm2以下的电子束，检测通过上述电子束的照射而放出的二次电子。使电子束的照射位置与载置台相对移动，在晶片(W)的整个检查对象区域中取得将放出的二次电子的检测结果与晶片(W)上的电子束的照射位置相关联的数据，根据该数据检查应作为导电部的部位变成绝缘部的缺陷的有无。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101341589A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200780000853.3
申请日：2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , G01N23/225 , G01R31/302 , H01L21/027
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N21/956 , G01N2223/646 , G01R31/2831 , G01R31/305 , G01R31/307 , G01R31/308 , G01R31/311 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种对形成于基板上的形状的缺陷进行检查的缺陷检查方法，对于在基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域。对所选择的区域，使用电子射线进行二次检查，检测出缺陷。
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公开(公告)号：CN100418189C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200610007445.8
申请日：2006-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。
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公开(公告)号：CN101103262A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680001995.7
申请日：2006-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N30/06 , G01N2030/062 , G01N2030/128
Abstract: 本发明涉及测定有机物气体浓度的测定装置(2)，从处理系统内的目标空间引出目标氛围气体，测定其中有机物气体的浓度。装置(2)包括具有与目标空间连接的导入口的捕集容器(20)。排气系统(36)与捕集容器(20)连接。在捕集容器(20)内，收容有用于通过吸附有机物气体得到捕集有机物气体的捕集部件(22)。利用包括加热器(24)的温度调整机构，调整捕集部件(22)的温度，控制有机物气体的吸附/解吸。从载气供给系统(32)供给用于搬送从捕集有机物气体中取出的解吸气体的载气。利用浓度测定部(56)测定搬送解吸气体的载气中的有机物气体的浓度。
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公开(公告)号：CN1502120A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN01822329.X
申请日：2001-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02046 , C30B33/00 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02301 , H01L21/02312 , H01L21/31138 , H01L21/31662 , H01L21/67109
Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。
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公开(公告)号：CN104137233B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380011286.7
申请日：2013-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02046 , H01L21/02063 , H01L21/67023 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种能够以较高的去除率去除附着于基板表面的微粒的技术。取得与附着于作为基板的晶圆(W)的微粒(100)有关的、包括粒径在内的微粒信息(74)，根据该微粒信息(74)来调整与清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇(200)的粒径有关的因素、例如气体压力。之后，自压力比晶圆(W)所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述气体团簇(200)。当将该气体团簇(200)向晶圆(W)的表面垂直地照射时，能够利用具有与微粒(100)的粒径相匹配的粒径的气体团簇(200)来进行清洗处理，其结果，即使在晶圆(W)的表面形成有用于形成电路图案的凹部(81)，也能够以较高的去除率去除凹部(81)内的微粒(100)。
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