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公开(公告)号：CN101451234B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810185711.5
申请日：2008-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。
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公开(公告)号：CN101107379B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200680002702.7
申请日：2006-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C8/24 , C23C8/26 , C23C8/36 , C23C8/38 , C23C14/00 , C23C16/14 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/56 , G11B5/84
Abstract: 本发明提供一种气体处理方法，使用气体处理装置，利用含有NH3气体和H2气体的气体对被处理体(W)进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在腔室内的喷淋头；向腔室内供给含有NH3气体和H2气体的气体的气体供给单元，腔室的覆盖层和喷淋头含有镍(Ni)。通过控制H2/NH3流量比和温度，抑制腔室的覆盖层和喷淋头中含有的镍的反应。
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公开(公告)号：CN101501244A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029097.7
申请日：2007-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设置气体供给装置的喷淋板上所穿设的气体供给孔的配置图案，使得这些气体供给孔配置在多个同心圆上，并且使同心圆上的气体供给孔和与内侧邻接的同心圆以及与外侧邻接的同心圆的各自最接近的气体供给孔不在同心圆的半径上排列。
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公开(公告)号：CN101346802A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000953.6
申请日：2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/14 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层，在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSix膜。在形成上述TiSix膜(507)的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述工序：向处理室导入钛化合物气体，使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序；停止向处理室导入钛化合物气体，除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序；和向处理室导入氢气，并在处理室内形成等离子体，对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原，同时使其与Si表面的硅反应，形成TiSix膜(507)的第三工序。
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公开(公告)号：CN101310040A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000105.5
申请日：2007-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF3气体，清洁所述腔室(31)内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101084327A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043869.3
申请日：2005-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。
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公开(公告)号：CN110616417B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910505326.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。
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公开(公告)号：CN101501244B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780029097.7
申请日：2007-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设置气体供给装置的喷淋板上所穿设的气体供给孔的配置图案，使得这些气体供给孔配置在多个同心圆上，并且使同心圆上的气体供给孔和与内侧邻接的同心圆以及与外侧邻接的同心圆的各自最接近的气体供给孔不在同心圆的半径上排列。
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公开(公告)号：CN101310040B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780000105.5
申请日：2007-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF3气体，清洁所述腔室(31)内。
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公开(公告)号：CN1958170B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610142776.2
申请日：2006-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B05B1/14 , C23C16/448 , C23C14/00 , C23F4/00 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种气体喷头(气体供给装置)，其用于CVD装置等，由镍部件组合而构成，防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板，和与该喷淋板之间形成处理气体流通空间、同时气密地安装在处理容器天井部开口部的周边部的由镍部件构成的基体部件，在周边部位相互接合。在相互的接合面之间，插入不同于镍部件的材质、例如哈斯特洛依耐蚀耐热镍基合金或碳等中间部件。
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