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公开(公告)号：CN109817562B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811399185.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板载置台，能够抑制电弧放电和微粒的产生。一个实施方式的基板载置台被使用于在处理容器内对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该基板载置台具有：基板载置部，其被加工成镜面，用于载置所述基板；边缘部，其位于所述基板载置部的周围，被加工成凹凸形状。
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公开(公告)号：CN110616417B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910505326.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。
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公开(公告)号：CN109087854A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810614198.0
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及对膜进行蚀刻的方法，能够减少在校准流量控制器后被依次处理的被加工物之间的膜的蚀刻的结果之差。在一个实施方式的方法中，根据正在向腔室供给第一气体时的腔室的压力上升率来校准第一气体用的流量控制器。接着，向腔室供给第二气体。接着，向腔室供给包含第一气体和第二气体的混合气体。接着，利用包含第一气体和第二气体的混合气体来从被加工物的膜生成反应生成物。反应生成物升华并且被去除。
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公开(公告)号：CN110616417A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910505326.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。
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公开(公告)号：CN109817562A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811399185.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板载置台，能够抑制电弧放电和微粒的产生。一个实施方式的基板载置台被使用于在处理容器内对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该基板载置台具有：基板载置部，其被加工成镜面，用于载置所述基板；边缘部，其位于所述基板载置部的周围，被加工成凹凸形状。
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