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公开(公告)号：CN102568992A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110442876.8
申请日：2011-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花冈秀敏
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够易于对处理的因作为被施加于上部电极的直流电压的地线的直流电压用接地构件的设置状态引起的偏差进行校正，从而能够高效地实施均匀的处理。该等离子体处理装置包括：高频电源，其用于对下部电极施加高频电力；直流电源，其用于对上部电极施加直流电压；直流电压用接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露出到处理空间中的方式配置在处理腔室内，用于形成被施加于上部电极的直流电压的接地电位；多个上下运动机构，其能够通过使直流电压用接地构件上下运动来调整该直流电压用接地构件的接地状态。
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公开(公告)号：CN102270577A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102256432A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN102256431A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101661863A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN1984523A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710004236.2
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H05H1/24 , H05H1/02 , H01L21/306 , C23C16/00 , C23F1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。
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公开(公告)号：CN119790716A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380062338.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 提供一种抑制随时间变化的电极板、电极组件和等离子体处理装置。平行平板型等离子体处理装置用的电极板，其包括主体部，所述主体部具有第一面、与所述第一面相反侧的第二面和多个内侧面，所述多个内侧面规定以从所述第一面到所述第二面的方式贯通所述主体部的多个气体流通孔，所述第一面由具有第一电阻值的材料构成，所述第二面由具有与所述第一电阻值不同的第二电阻值的材料构成。
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公开(公告)号：CN111261511A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911220416.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN102263001B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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