等离子体处理装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109216148B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201810735553.X

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明提供一种在对多个被处理基板同时进行等离子体处理时,能够抑制施加于载置被处理基板的电极部的高频电力对于周围部件的影响的等离子体处理装置。等离子体处理装置利用等离子体形成部将供给到处理空间的处理气体等离子体化,被施加高频电力的第一电极部,构成用于载置一个被处理基板的第一基板载置面。另外,被施加高频电力的金属制的第二电极部,设置在与上述第一电极部离开且相邻的位置,构成用于载置另一被处理基板的第二基板载置面。在包围第一基板载置面、第二基板载置面这两者的周围的位置,设置有陶瓷制的环部,在该位置的环部的下表面侧,设置有由介电常数比上述陶瓷低的电介质构成的电介质部件。

    等离子体处理装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110648890A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910547433.1

    申请日:2019-06-24

    Inventor: 町山弥 里吉务

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,其能够减少飞散在处理室内的颗粒。该等离子体处理装置包括处理室、第一部件和第二部件。处理室形成在其中生成等离子体的处理空间,并利用等离子体来处理收纳于处理空间内的被处理体。第一部件具有面向处理空间的第一面,且配置在处理室内。第二部件配置在比第一部件靠处理空间侧的处理室内,具有面向处理空间的第二面,该第二面被包含在与包含第一面的平面或曲面交叉的平面或曲面中。在第一部件和第二部件的截面中,在包含第一面的平面或曲面与包含第二面的平面或曲面的交点附近的、第一部件与第二部件之间,形成有空隙。

    等离子体处理装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109216148A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201810735553.X

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明提供一种在对多个被处理基板同时进行等离子体处理时,能够抑制施加于载置被处理基板的电极部的高频电力对于周围部件的影响的等离子体处理装置。等离子体处理装置利用等离子体形成部将供给到处理空间的处理气体等离子体化,被施加高频电力的第一电极部,构成用于载置一个被处理基板的第一基板载置面。另外,被施加高频电力的金属制的第二电极部,设置在与上述第一电极部离开且相邻的位置,构成用于载置另一被处理基板的第二基板载置面。在包围第一基板载置面、第二基板载置面这两者的周围的位置,设置有陶瓷制的环部,在该位置的环部的下表面侧,设置有由介电常数比上述陶瓷低的电介质构成的电介质部件。

    被处理对象的搬送装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101006574A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200680000424.1

    申请日:2006-06-20

    CPC classification number: H01L21/67745 H01L21/67276 H01L21/67742

    Abstract: 处理系统(100)包括:搬送室(150)、与搬送室相连的多个室(140、160)、附设在搬送室内的搬送装置(180)、控制搬送装置的控制部(200)。搬送装置包括能够滑动动作的基台(182)、能够旋转动作的搬送臂(185A、185B)。控制部具备存储部(290)和动作控制器(280)。存储部存储表示滑动动作以及旋转动作的复合动作的多个动作类型的类型模式信息(292)、以及与动作类型分别对应的时间动作轨道的轨道模式信息(294)。动作控制器从类型模式信息以及轨道模式信息中检索必要的信息,并根据这些信息来控制搬送装置的动作。

    成膜装置和成膜方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115522181B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202210681604.1

    申请日:2022-06-15

    Abstract: 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜,具备处理腔室,其具有:旋转滚筒,将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面;主体部,收纳旋转滚筒,具有:多个处理室,与保持侧面相对,具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间;排气部,配置到多个处理室的各个之间,多个处理室至少包括:原料气体吸附室,使原料气体吸附于基板;等离子体反应室,从反应气体生成与原料气体反应的等离子体,具备:框体;长条状的金属窗,由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成,配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔;矩形线圈天线。

    基板载置构造体和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN110246741B

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201910166755.1

    申请日:2019-03-06

    Inventor: 南雅人 町山弥

    Abstract: 本发明提供基板载置构造体和等离子体处理装置。使附着于基板的背面与载置台之间的沉积物减少。基板载置构造体(130)具备载置台(150)、聚焦环(131)以及支承构件(132)。聚焦环(131)包围供基板(W)载置的载置台(150)的载置面(152a)且配置于比载置面低的位置。支承构件(132)配置于聚焦环(131)的下侧并支承聚焦环。另外,聚焦环(131)具有上部环构件(131a)和下部环构件(131b)。下部环构件(131b)构成聚焦环(131)的下部并覆盖支承构件(132)。上部环构件(131a)构成聚焦环(131)的上部,其载置台(150)侧的侧面(1310)的至少一部分与载置台的侧面之间的距离比下部环构件(131b)的载置台(150)侧的侧面(1311)与载置台的侧面之间的距离长。

    等离子体处理装置和气体喷淋头

    公开(公告)号:CN108987234B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201810567600.4

    申请日:2018-06-05

    Abstract: 本发明的目的在于改善等离子体工艺的均匀性。本发明的等离子体处理装置,对载置于处理容器内的载置台的基片进行等离子体处理,包括:金属窗,其与上述载置台相对地形成于上述处理容器,具有多个导电性的部分窗部;绝缘物的隔开部件,其设置在上述部分窗部之间以及上述部分窗部与上述处理容器之间;天线,其设置在上述金属窗的上方侧,通过电感耦合使处理气体等离子体化;绝缘体的盖部件,其覆盖上述隔开部件的上述处理容器侧的面,并横跨相邻的上述部分窗部的边缘,多个上述部分窗部各自具有多个第一气孔,上述盖部件具有多个第二气孔,在该盖部件的内部以多个上述第一气孔中的至少任一者和多个上述第二气孔连通的方式向上述处理容器侧的面延伸。

    基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN111146134A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911060409.1

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台,当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温,其中,所述基板载置台具有:金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域;以及金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。

    等离子体处理装置和气体喷淋头

    公开(公告)号:CN108987234A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810567600.4

    申请日:2018-06-05

    Abstract: 本发明的目的在于改善等离子体工艺的均匀性。本发明的等离子体处理装置,对载置于处理容器内的载置台的基片进行等离子体处理,包括:金属窗,其与上述载置台相对地形成于上述处理容器,具有多个导电性的部分窗部;绝缘物的隔开部件,其设置在上述部分窗部之间以及上述部分窗部与上述处理容器之间;天线,其设置在上述金属窗的上方侧,通过电感耦合使处理气体等离子体化;绝缘体的盖部件,其覆盖上述隔开部件的上述处理容器侧的面,并横跨相邻的上述部分窗部的边缘,多个上述部分窗部各自具有多个第一气孔,上述盖部件具有多个第二气孔,在该盖部件的内部以多个上述第一气孔中的至少任一者和多个上述第二气孔连通的方式向上述处理容器侧的面延伸。

    被处理对象的搬送装置
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100505202C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200680000424.1

    申请日:2006-06-20

    CPC classification number: H01L21/67745 H01L21/67276 H01L21/67742

    Abstract: 处理系统(100)包括:搬送室(150)、与搬送室相连的多个室(140、160)、附设在搬送室内的搬送装置(180)、控制搬送装置的控制部(200)。搬送装置包括能够滑动动作的基台(182)、能够旋转动作的搬送臂(185A、185B)。控制部具备存储部(290)和动作控制器(280)。存储部存储表示滑动动作以及旋转动作的复合动作的多个动作类型的类型模式信息(292)、以及与动作类型分别对应的时间动作轨道的轨道模式信息(294)。动作控制器从类型模式信息以及轨道模式信息中检索必要的信息,并根据这些信息来控制搬送装置的动作。

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