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公开(公告)号：CN112838004A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011284490.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置，改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括：工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b)是对被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部的工序。工序c)是将载置台的温度设定为第一温度，在凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜的工序。工序d)是进一步对形成有第一膜的被蚀刻膜进行局部蚀刻的工序。工序e)是将载置台的温度设定为与第一温度不同的第二温度，在凹部的侧壁形成具有与第一膜厚分布不同的第二膜厚分布的第二膜的工序。
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公开(公告)号：CN110777361A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910665735.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/30 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN110010464A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 提供处理基板的方法。一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
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公开(公告)号：CN108735597A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810329353.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出，该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤。
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公开(公告)号：CN108231579A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711326482.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119816921A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066553.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。
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公开(公告)号：CN119585842A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054369.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序，(b)的工序包括：(b1)相对于第一区域以第一选择比除去第二区域的工序；和(b2)相对于第一区域以不同于第一选择比的第二选择比进一步除去第二区域的工序。
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公开(公告)号：CN119234297A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041714.4
申请日：2023-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/532
Abstract: 蚀刻方法包括：工序a，提供基片，基片包括第一膜和在第一膜上具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；工序b，在与开口对应地形成于第一膜的凹部的侧壁上形成保护膜；和工序c，与工序b同时或在工序b之后，利用从包含含卤素气体的处理气体生成的等离子体，经由开口对第一膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN114156156B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202111453386.8
申请日：2017-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，其包括：具有气体导入口和排气口的腔室；设置在所述腔室内的基片支承部，该基片支承部包括电极，可对该电极供给高频偏置电力；等离子体产生部；和进行下述的a控制～c控制的控制部，a控制，将包括由氮化硅形成的第一区域和由氧化硅形成的第二区域的基片放置在所述基片支承部上，b控制，供给所述高频偏置电力，从含氢的第一气体产生第一等离子体以对所述第一区域进行改性，c控制，停止所述高频偏置电力的供给，从含氟的第二气体产生第二等离子体以除去改性了的所述第一区域。
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公开(公告)号：CN110581050B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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