公开(公告)号：CN103188835B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210584999.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  河西繁 ,  山下润 ,  伴昌和

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/80 ,  H01L21/67

CPC classification number: H05B6/6402 ,  H05B6/6426 ,  H05B6/70 ,  H05B6/707 ,  H05B6/72 ,  H05B6/806

Abstract: 本发明提供电力的利用效率和加热效率优异、能够对被处理体进行均匀的处理的微波加热处理装置和处理方法。在微波加热处理装置（1）中，在处理容器（2）的顶部（11），四个微波导入口（10）分别配置为以其长边和短边与四个侧壁部（12A、12B、12C、12D）的内壁面平行，且配置于相互变更90°角度的旋转位置。各微波导入口（10）配置为，在沿与各自的长边垂直的方向平行移动的情况下，不与具有平行的长边的其它微波导入口（10）重叠。

公开(公告)号：CN101971302B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980108903.9

申请日：2009-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256

Abstract: 微波导入机构(43)包括：形成为筒状的主体容器(50)；同轴地设置在主体容器(50)内、在与主体容器(50)之间形成微波传送通路(53)的内侧导体(52)；进行阻抗调整的调谐器(44)；和具有向腔室内放射从微波传送通路(53)传送来的微波的天线(51)的天线部(45)，调谐器(44)包括：一对由电介质构成的芯块(58)、使这些芯块(58)移动的致动器(59)和控制器(60)，控制器(60)进行控制，使一对芯块(58)同时在1/2波长的长度范围内移动，并且使芯块(58)的一个芯块(58)相对于另一个芯块(58)在1/4波长的长度范围内移动。

公开(公告)号：CN101490817B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780027502.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜(SiOC膜11)，在该绝缘膜上形成有槽(100)的基板(晶片W)载置在处理容器内。在基板上被覆由阀金属构成的第一基底膜(Ti膜13)。由从绝缘层释放出的水分，氧化与绝缘膜接触的第一膜的表面形成钝化膜(13a)。在第一基底膜的表面被覆由阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜，利用以铜的有机化合物为原料的CVD法在第二基底膜的表面形成铜膜(15)。

公开(公告)号：CN102458032A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110316506.X

申请日：2011-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  长田勇辉

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32293 ,  H05H2001/463

Abstract: 提供一种极力抑制在处理容器内的由微波的驻波引起的影响，并在腔室内能够提高等离子体密度的均匀性的微波等离子体源和使用其的等离子体处理装置。微波等离子体源(2)具有微波供给部(40)，微波供给部(40)具有：将微波导入处理容器内的多个微波导入机构(43)；和多个相位器(46)，其调整分别向多个微波导入机构(43)输入的微波的相位，通过多个相位器(46)调整输入多个微波导入机构(43)的微波的相位，关于多个微波导入机构(43)中邻接的微波导入机构，固定一个的微波的输入相位使另一个的微波的输入相位按照周期性波形变化。

公开(公告)号：CN102365785A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080013874.0

申请日：2010-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  池田太郎 ,  长田勇辉

IPC: H01P5/04 ,  H05B6/70 ,  H05B6/72 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05B6/80 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32256 ,  H05B6/705 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 本发明提供一种使腔室内的负荷的阻抗与微波电源的特性阻抗自动匹配的调谐器(60)，其包括：主体(51)，其具有呈筒状的外侧导体(52)和在其中同轴设置的、呈筒状的内侧导体(53)，成为微波传送路径的一部分；铁心(61a、61b)，其设置于外侧导体(52)与内侧导体(53)之间，沿着内侧导体(53)的长度方向能移动，是环状，由电介质形成；和使铁心(61a、61b)移动的驱动机构，驱动机构的驱动传送部、驱动引导部、构成保持部的滑动部件(63)和铁心移动轴(64a、64b)被收容在内侧导体(53)的内部。

公开(公告)号：CN101490818B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780027573.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。

公开(公告)号：CN101421825B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780012765.5

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。

公开(公告)号：CN101044259B

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200580035907.0

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C03C17/09 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。

公开(公告)号：CN1759473A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200380110150.8

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  田中澄 ,  山本薰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 半导体处理用的基板保持结构(50)包括配置在处理室(20)内的、放置被处理基板(W)的放置台(51)。在放置台(51)内形成收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间(507)。为了将高频电力导入放置台(51)而配置导电性传送路径(502)。在传送路径(502)内形成有相对温度调节空间(507)进行热交换介质流体的供给或者排出的流路(505、506)。

公开(公告)号：CN1554114A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02804685.4

申请日：2002-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32137

Abstract: 提供一种等离子体处理装置及方法，在利用感应耦合等离子体的同时，难以在等离子体点火之后产生斜向电场引起的缺陷。另外，提供一种等离子体处理装置及方法，在感应耦合等离子体方式中并用法拉第屏蔽件来去除斜向电场，同时，可确实点火等离子体。该装置构成为具备：容室(31)；钟罩(32)；设置在所述钟罩(32)外侧的线圈(42)；设置在所述钟罩(32)与所述线圈(42)之间的法拉第屏蔽件(44)；隔板(33)；设置在所述钟罩(32)上方的导电性部件(49)；在所述线圈(42)中形成感应电磁场的第1高频电源(43)；和在所述隔板(33)与所述导电性部件(49)之间形成电场的第2高频电源(34)。