公开(公告)号：CN100474528C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510134334.9

申请日：2005-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田哲弥 ,  高桥丰 ,  梅泽好太 ,  富田正彦

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  G05B19/04

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: 本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；和接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。

公开(公告)号：CN101372739A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810168649.9

申请日：2008-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边将久 ,  石井胜利 ,  柴田哲弥

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法，其包括：在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序；接着，通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制部分实施烘焙处理，使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序；和接着，将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。

公开(公告)号：CN102162089A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110039021.0

申请日：2011-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  木镰英司 ,  问谷昌孝 ,  柴田哲弥

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4554

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法，该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理，该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜，该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下，不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。

公开(公告)号：CN101092278A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710129216.8

申请日：2007-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安倍胜彦 ,  及川雅之 ,  柴田哲弥 ,  谷裕一

IPC: C03B20/00

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种石英制品，由于半导体制造装置的热处理装置的部件石英制品在加工时被铜污染，因此，在热处理装置运转时，就需要抑制对半导体基板引起的铜污染。在石英制品还没有在半导体基板的热处理中使用的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并将含有氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体例如氧气的烘焙用气体供给到该石英制品。由此，将石英制品的表面到30μm深度的铜浓度控制在20ppb以下，优选在3ppb以下。烘焙处理是在石英制品组装成热处理装置之前或组装之后进行。

公开(公告)号：CN101092277A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710112615.3

申请日：2007-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安倍胜彦 ,  及川雅之 ,  柴田哲弥 ,  谷裕一

IPC: C03B20/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67306 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制品供给烘焙用气体，该烘焙用气体包含氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体、例如氧气。由此，从石英制品的表面直至30μm深度的铜浓度成为20ppb以下，优选成为3ppb以下。烘焙处理在将石英制品装配为热处理装置前或装配后进行。