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公开(公告)号：CN114556525B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202080071208.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大野广基
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，所述基板清洗方法包括以下工序：向喷嘴供给通过绝热膨胀形成团簇的团簇形成气体与具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气的混合气体；通过从所述喷嘴喷射所述混合气体来形成所述团簇；通过所述团簇去除附着于基板的微粒；以及从结束向所述喷嘴供给所述团簇形成气体时起，在设定时间期间继续向所述喷嘴供给所述载气。
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公开(公告)号：CN108155116B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711248022.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
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公开(公告)号：CN108074844A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN101253604B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680022348.4
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提出一种衬底(W)，它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片(W)被旋转时，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间，从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果，在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100449702C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580018436.2
申请日：2005-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。
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公开(公告)号：CN114556525A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071208.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大野广基
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，所述基板清洗方法包括以下工序：向喷嘴供给通过绝热膨胀形成团簇的团簇形成气体与具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气的混合气体；通过从所述喷嘴喷射所述混合气体来形成所述团簇；通过所述团簇去除附着于基板的微粒；以及从结束向所述喷嘴供给所述团簇形成气体时起，在设定时间期间继续向所述喷嘴供给所述载气。
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公开(公告)号：CN108074840A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/02101 , H01L21/6704
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN1965395A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018436.2
申请日：2005-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。
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公开(公告)号：CN1947227A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012831.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , B08B5/02 , G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , H01L21/67028 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和存储介质，在对晶片实施使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧漂洗喷嘴的漂洗处理之后的干燥处理中，使晶片旋转，从而开始从纯水喷嘴向晶片的中心点供给纯水，实质上与此同时，开始从气体喷嘴在晶片的中心部中向离开晶片的中心适当长度的点喷射氮气。然后一边使纯水喷嘴朝向晶片的周缘扫描，一边使气体喷嘴在通过晶片的中心后，在比纯水喷嘴的位置更靠径向内侧的区域朝向晶片的周缘扫描。
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