公开(公告)号：CN108735654A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810329959.8

申请日：2018-04-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦伸 ,  堀口将人

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68742 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种抑制基板的位置偏移的销控制方法和基板处理装置。在销控制方法中，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的多个销的高度位置来从多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的基准销，估计从测定多个销的高度位置起经过规定时间后的高度位置即基准高度位置，计算用于使除了基准销以外的其它销的高度位置与估计出的基准高度位置一致的调整速度，控制用于驱动其它销的驱动部来将其它销的驱动速度调整为所述调整速度。

公开(公告)号：CN107431012A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680021637.6

申请日：2016-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸山幸儿 ,  舆石公 ,  芳贺俊雄 ,  堀口将人 ,  加藤诚人

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中，在吸附工序中，对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中，对下部电极施加高频偏压，并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序与蚀刻工序交替地重复。在吸附工序中，自由基的密度为离子的密度的200倍以上。在蚀刻工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的RF能量供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的高频偏压在0.5秒以下的期间供给至下部电极。

公开(公告)号：CN102254777A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110076088.1

申请日：2011-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉村章弘 ,  佐藤彻治 ,  堀口将人 ,  和田畅弘 ,  小林真 ,  辻本宏 ,  田村纯 ,  直井护

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。

公开(公告)号：CN1776889A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510123269.X

申请日：2005-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤大树 ,  小林秀行 ,  堀口将人

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ra小到蚀刻处理时不捕捉反应生成物的程度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有对该区域进行a精加工，使其平均表面粗糙度R大到能捕捉所述反应生成物的第二区域。第一区域和第二区域的界限，是将聚焦环组装到等离子体蚀刻装置中，利用等离子体对基板进行蚀刻时，消耗程度相对于其他部位大幅度变化的部位。