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公开(公告)号：CN1868034A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030051.3
申请日：2004-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调光学和抗刻蚀特性的TERA薄膜的方法和装置，其中，对于TERA薄膜沉积的至少一部分，等离子体增强化学气相沉积工艺采用一种减少与光刻胶反应的前驱体。该装置包括一个具有耦合到第一RF源上的上部电极和耦合到第二RF源上的衬底托架的室，和用于提供多步处理和前驱气的喷淋头。
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公开(公告)号：CN1867695A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029963.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/5096 , G03F7/091 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明公开了一种用于改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法和装置。该方法包括利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的TERA膜，并利用等离子体工艺后处理TERA膜。该装置包括室和用于提供多种前驱体和处理气体的喷淋头，其中室具有耦合到第一RF源的上电极和耦合到第二RF源的衬底夹持器。
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公开(公告)号：CN1839218A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480023772.1
申请日：2004-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吹上纪明
IPC: C23C16/509 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01L21/0276
Abstract: 本发明公开了一种用于利用等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的膜的方法和系统。室具有等离子体源和耦合到RF源的衬底夹持器。衬底被放置在衬底夹持器上。TERA层被沉积在衬底上。选择由RF源提供的RF功率的量，使得TERA层的至少一部分的沉积速率大于在不向衬底夹持器施加RF功率时的沉积速率。
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公开(公告)号：CN112391607B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010789975.2
申请日：2020-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN108505020B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201810165871.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364433A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910231945.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN108505020A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810165871.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/6835 , C23C16/4554 , C23C16/45574 , H01L21/027 , H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
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公开(公告)号：CN101622692B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880006209.1
申请日：2008-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。
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公开(公告)号：CN112391612A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010788135.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN102719794A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210186855.9
申请日：2008-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/545 , C23C14/228 , C23C14/246 , C23C14/56 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种具有控制装置的蒸镀装置，蒸镀装置（100）利用在蒸镀源（110）中气化后的成膜材料对基板（G）进行成膜处理，控制装置（700）的存储部（710）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部（750）基于工艺条件，从存储于存储部（710）中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器（200）基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM（180）中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部（760）使用存储于存储部（710）中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器（200）求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。
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