公开(公告)号：CN112391612A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010788135.4

申请日：2020-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽根秀臣 ,  小山峻史 ,  大槻志门 ,  向山廉 ,  吹上纪明 ,  小川淳

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

公开(公告)号：CN112391607A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010789975.2

申请日：2020-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽根秀臣 ,  大槻志门 ,  小山峻史 ,  向山廉 ,  小川淳 ,  吹上纪明

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

公开(公告)号：CN112391612B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202010788135.4

申请日：2020-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽根秀臣 ,  小山峻史 ,  大槻志门 ,  向山廉 ,  吹上纪明 ,  小川淳

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

公开(公告)号：CN112391607B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010789975.2

申请日：2020-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽根秀臣 ,  大槻志门 ,  小山峻史 ,  向山廉 ,  小川淳 ,  吹上纪明

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。