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公开(公告)号:CN108505020B
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN201810165871.7
申请日:2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及成膜装置,提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术,该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中,沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且,在气体喷出区域中的内侧区域中,在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔,在外侧区域中,在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此,能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多,因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
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公开(公告)号:CN108505020A
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201810165871.7
申请日:2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/6835 , C23C16/4554 , C23C16/45574 , H01L21/027 , H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及成膜装置,提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术,该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中,沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且,在气体喷出区域中的内侧区域中,在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔,在外侧区域中,在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此,能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多,因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
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