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公开(公告)号：CN101423928A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179074.0
申请日：2006-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。
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公开(公告)号：CN101047118A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
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公开(公告)号：CN117917188B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380013510.X
申请日：2023-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了一种用于对边缘环和静电吸盘之间供应的传热气体的泄漏量减少方法及等离子体处理装置。传热气体的泄漏量减少方法，包括：在具有静电吸盘的主体部上载置边缘环的工序；使所述静电吸盘吸附所述边缘环的工序；对所述边缘环进行升温的工序；对所述边缘环进行降温的工序；以及，反复进行多次所述进行升温的工序和所述进行降温的工序的工序。
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公开(公告)号：CN118897770A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410502689.1
申请日：2024-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种计算机程序产品、信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读存储介质，能够基于在检查器中测定出的热通量来估计实机中的基板温度的面内分布。用于使计算机执行以下处理：从具备收容热源和基板载置台的检查腔室的检查器获取对载置于所述基板载置台的基板按时间序列测量基板温度的面内分布而获得的温度数据；基于获取到的温度数据，来计算所述基板载置台中的热通量的面内分布；以及基于计算出的热通量的面内分布，使用模拟实机中的热现象的热回路模型来估计所述基板载置台搭载于实机的情况下的基板温度的面内分布。
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公开(公告)号：CN117917188A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202380013510.X
申请日：2023-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了一种用于对边缘环和静电吸盘之间供应的传热气体的泄漏量减少方法及等离子体处理装置。传热气体的泄漏量减少方法，包括：在具有静电吸盘的主体部上载置边缘环的工序；使所述静电吸盘吸附所述边缘环的工序；对所述边缘环进行升温的工序；对所述边缘环进行降温的工序；以及，反复进行多次所述进行升温的工序和所述进行降温的工序的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628216A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111468822.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种具有能够在传热气体的通孔中防止异常放电的埋入部件的等离子体体处理装置。等离子体处理装置包括载置台和埋入部件，所述载置台具有：电介质部件，其具有用于载置被处理体的载置面和与所述载置面相反侧的背面，且形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；和基台，其具有支承所述电介质部件的支承面，且形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，所述埋入部件配置于所述第一通孔和所述第二通孔的内部，所述埋入部件具有配置于所述第一通孔的第一埋入部件和配置于所述第二通孔的第二埋入部件，所述第二埋入部件的刚性比所述第一埋入部件的刚性低。
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公开(公告)号：CN108335999A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810054937.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
CPC classification number: H01L21/67103 , H01J37/00 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/20
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、温度控制方法以及存储介质。载置台设置有用于载置基板和以包围该基板的方式配置的环构件的一方或两方的载置面，并在载置面分割得到的各分割区域分别设置有能够调整温度的加热器。计算部使用预测模型计算对载置面上的基板进行规定处理时的基板的规定测定点的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的加热器的目标温度，该预测模型为，将各分割区域的加热器的温度作为参数并考虑包含测定点的分割区域以外的其它分割区域的加热器的温度依据该测定点与其它分割区域的距离所产生的影响来预测测定点处的关键尺寸。在对载置面上的基板进行基板处理时进行控制使得各分割区域的加热器成为由计算部计算出的目标温度。
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公开(公告)号：CN100536634C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610072117.6
申请日：2006-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/30 , H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。
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公开(公告)号：CN100530532C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
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公开(公告)号：CN118658767A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410579941.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。
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