-
公开(公告)号：CN101047118A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
-
公开(公告)号：CN100530532C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
-
公开(公告)号：CN101278378A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036192.5
申请日：2006-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192
Abstract: 本发明提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管(35)的下面(31)的多个缝隙(70)在被配置在处理室(4)上面的电介质(32)中传播，利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量，使被供给到处理室(4)内的处理气体等离子体化，对基板(G)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1)，在电介质(32)下面形成深度各异的多个凹部(80a～80g)。通过使各个凹部(80a～80g)的深度各异，来控制在电介质(32)下面的等离子体的生成。
-
公开(公告)号：CN117999644A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280065029.0
申请日：2022-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种用静电吸盘保持基板的基板保持方法及基板处理装置。基板保持方法，具有如下工序：将第1基板搬入第1室内，将所述第1基板载置在配置于所述第1室内的静电吸盘；对所述静电吸盘的静电电极施加第1电压，使所述第1基板吸附于所述静电吸盘；将所述静电吸盘从所述第1室搬出；对所述静电吸盘的表面进行磨削；将所述静电吸盘配置在第2室；将第2基板搬入所述第2室内，将所述第2基板载置在配置于所述第2室内的所述静电吸盘；以及向所述静电吸盘的静电电极施加比所述第1电压小的第2电压，使所述第2基板吸附在所述静电吸盘。
-
公开(公告)号：CN110544614B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910459256.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种模型生成装置、模型生成方法以及记录介质，谋求与预定实施的等离子体处理对应的工艺条件。在等离子体处理装置中，以多种模式改变至少包括载置台温度及载置台的载置面的各区域的温度的等离子体处理的处理参数，获取部将每个模式的温度稳定的状态下的各区域的温度及向加热器供给的供给电流获取为测定数据。生成部使用测定数据，设为与相邻区域之间的温度差成正比的热量的热在区域之间移动、与载置台同区域之间的温度差成正比的热量的热在载置台与区域之间移动、按每个区域输入根据向该区域的加热器供给的供给电流计算出的热量的热、并且设为向各区域输入的热量与从各区域输出的热量一致来生成表示了处理参数间的关系的预测模型。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261486A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205136.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置、计算方法和记录介质。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。
-
公开(公告)号：CN101447419A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180735.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01L21/20 , H01L31/18 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L31/042 , H01L31/0368
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696 , H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板G上形成栅极氧化膜10后，反复进行用2.0eV电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比2.0eVd的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序进行成膜。由此，形成微晶硅膜和超微晶硅膜叠层而得的叠层膜20。利用上述方法，能够制造将叠层膜20作为活性层发挥功能的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN1913741A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610092245.7
申请日：2006-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H05H1/24 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供用于均匀地产生等离子体而控制供给气体的顺序的方法。微波等离子体处理装置(100)使从微波发生器(28)输出的微波通过多个波导管(22)从槽缝天线(23)的槽缝向多块电介质零件传播，透过各电介质零件并向处理容器(10)内放射。控制装置(40)一边向处理容器(10)内供给Ar气体，一边向处理容器(10)内入射微波的功率。在Ar气体通过微波的功率进行等离子体点火后，向处理容器(10)内供给用于进行等离子体化的必要能量大于Ar气体的SiH4气体和NH3气体。由此，微波等离子体处理装置(100)可通过入射到处理容器(10)内的微波的功率使处理气体等离子体化稳定地产生优质的SiN膜。
-
公开(公告)号：CN1863427A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610072117.6
申请日：2006-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/30 , H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。
-
公开(公告)号：CN111261486B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201911205136.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置、计算方法和记录介质。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.039 seconds)
