公开(公告)号：CN101048029B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710091321.7

申请日：2007-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  C23C16/511 ,  C23C16/517

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明提供在处理容器内使与等离子体接触的面平坦化的微波等离子体处理装置(100)：具备处理室(U)、在处理室(U)内透过微波的多个电介质零件(31)、支撑电介质零件(31)的梁(27)、从处理室(U)的外部将梁(27)固定在处理容器上的固定单元。固定单元具有从处理室(U)的外部贯通设置在处理室(U)上的多个贯通孔(21b)与梁(27)螺合的多个阳螺栓(56)。通过多个螺栓(56)从处理室(U)的外部将梁(27)固定在处理室(U)上，使与等离子体接触的梁(27)的面(S)平坦化。因此能够避免电场能量集中在面(S)的凸部、在面(S)凹部发生异常放电。不会使气体过度离解，能够通过均匀等离子体在基板(G)上形成质量好的膜。

公开(公告)号：CN100433272C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN03822748.7

申请日：2003-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘 ,  桑嶋亮

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转，由此使被处理基板的温度分布均匀，抑制被处理基板的翘曲。处理容器的内壁由利用不透明石英形成的石英衬套覆盖，保护其不受来自紫外线光源照射的紫外线的影响并利用隔热效果抑制因来自加热器部的热造成的温度上升。由此，延长处理容器的寿命。

公开(公告)号：CN1863427A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610072117.6

申请日：2006-04-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘 ,  冈信介

IPC: H05H1/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。

公开(公告)号：CN1685485A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822829.7

申请日：2003-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘 ,  桑嶋亮

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  C23C16/46 ,  H05B3/14

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/481

Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转。此外加热器部把SiC加热器和热反射部件装在透明石英制的石英钟罩内部，通过使处理容器内部减压并使石英钟罩内部也减压，可以使石英钟罩的壁厚减薄，这样来自SiC加热器的热传导效率提高，而且可以防止因SiC加热器造成的污染。

公开(公告)号：CN101090598B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710109175.6

申请日：2007-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 本发明涉及微波等离子体处理装置，利用波长可变物质，使波导管长度最优。微波等离子体处理装置(100)包括波导管(30)、有多个槽缝(31)的槽缝天线(32)、多个电介体(33)和处理室(U)。微波依次在波导管(30)、槽缝(31)、电介体(33)传播，供给到处理室(U)，使气体等离子体化，处理基板(G)。在波导管(30)内端面(C)附近填充氧化铝(50)及特氟隆(35)。由于管内波长(λg)在氧化铝(50)中比特氟隆(35)中短，当微波在波导管(30)中传播时，与只填充特氟隆(35)相比，从波导管(30)端面(C)至最短槽缝中央间的物理特性上的长度保持为λg/4，并能缩短其间的机械长度。结果，没有波导管端部的死空间(D)，能够等间隔配置电介体(33)。

公开(公告)号：CN101047118A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710093621.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈信介 ,  堀口贵弘 ,  西村和晃 ,  北村昌幸 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。

公开(公告)号：CN101017769A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710006580.5

申请日：2007-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 堀口贵弘 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: 微波等离子体处理装置(100)包括：使通过槽的微波透过的多个介电体元件(31)；和位于各介电体元件(31)下方的气体喷嘴(27)。介电体元件(31)和气体喷嘴(27)由多孔体(多孔质体)和主体(致密质体)形成。第一气体供给部，将氩气从各介电体元件(31)的多孔体(31P)供给至处理室内。第二气体供给部，将硅烷气体和氢气从气体喷嘴(27)的多孔体(27P)供给至处理室内。气体通过各多孔体时减速，由此，能够抑止气体的过度搅拌。结果，能够生成均匀的等离子体，这样能够形成优质的非晶硅膜。

公开(公告)号：CN101005007A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610137549.0

申请日：2006-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种以不阻碍等离子体流向非处理体的方式设置有气体喷射部件的等离子体处理装置。在微波等离子体处理装置(100)的梁(26)上，固定有多个具有喷射孔(A)的侧吹喷气管(27)和具有喷射孔(B)的冰柱喷气管(28)。第一气体供给部将氩气从喷射孔(A)喷射到介电体(31)附近。第二气体供给部将硅烷气体和氢气从喷射孔(B)喷射到气体不被过度分解的位置。由此，被喷射的各气体被透过各介电体元件(31a)的微波等离子体化。因为冰柱喷气管(28)位于不阻碍等离子体流向基板(G)的位置，所以离子、电子不易碰撞到冰柱喷气管(28)上。结果，能够抑制堆积在冰柱喷气管(28)上的反应生成物的量。

公开(公告)号：CN1685485B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN03822829.7

申请日：2003-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘 ,  桑嶋亮

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  C23C16/46 ,  H05B3/14

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/481

Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转。此外加热器部把SiC加热器和热反射部件装在透明石英制的石英钟罩内部，通过使处理容器内部减压并使石英钟罩内部也减压，可以使石英钟罩的壁厚减薄，这样来自SiC加热器的热传导效率提高，而且可以防止因SiC加热器造成的污染。

公开(公告)号：CN101278378A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036192.5

申请日：2006-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 堀口贵弘 ,  冈信介 ,  平山昌树

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管(35)的下面(31)的多个缝隙(70)在被配置在处理室(4)上面的电介质(32)中传播，利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量，使被供给到处理室(4)内的处理气体等离子体化，对基板(G)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1)，在电介质(32)下面形成深度各异的多个凹部(80a～80g)。通过使各个凹部(80a～80g)的深度各异，来控制在电介质(32)下面的等离子体的生成。