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公开(公告)号：CN109494175A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811057819.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67086 , G05B19/41835 , G05B2219/45031 , H01L21/67057 , H01L21/67173 , H01L21/67253 , H01L21/67017 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种能够恰当地进行处理液的浓度变更的基板液处理装置和存储介质。基板液处理装置(A1)具备：处理液贮存部(38)，其贮存处理液；处理液排出部(41)，其将处理液从处理液贮存部(38)排出；以及控制部(7)，其控制处理液排出部(41)，控制部(7)执行将处理液贮存部(38)的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定模式中的第一控制以及变更处理液贮存部(38)的处理液的浓度的浓度变更模式中的第二控制，在第二控制中，所述控制部比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，所述控制部控制处理液排出部(41)，以开始处理液的排出。
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公开(公告)号：CN108511368A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810161560.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , G08B21/18 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67057
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的沸腾状态的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34A)，其贮存处于沸腾状态的处理液，并且通过将基板(8)浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；浓度传感器(55B)，其检测处理液中包含的药液成分的浓度；浓度调整部(7、40、41)，其基于浓度传感器的检测浓度来向处理液添加药液成分或添加稀释液，由此将处理液中包含的药液成分的浓度调整为设定浓度；水头压力传感器(86B)，其检测处理槽内的处理液的水头压力；以及浓度设定值校正运算部(7)，其基于水头压力传感器的检测值来对提供给浓度调整部的设定浓度进行校正。
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公开(公告)号：CN107895702A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710899650.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31111 , G05D7/0623 , H01L21/67086 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质，在同一基板的液处理中变更蚀刻选择比。该基板液处理装置在设置于液处理部(39)的处理槽(34)内贮存磷酸水溶液，将基板浸于处理槽所贮存的磷酸水溶液中，由此对该基板进行处理。在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间，利用磷酸水溶液排出部(43)以第一排出流量从液处理部(39)排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部(40)向液处理部供给磷酸水溶液。在另外的第二期间，利用磷酸水溶液排出部以与第一排出流量不同的第二排出流量从液处理部排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部向液处理部供给磷酸水溶液。
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公开(公告)号：CN106158703A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610317275.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够对形成于基板的表面的覆膜良好地进行蚀刻的基板液处理装置以及基板液处理方法。本发明包括：利用蚀刻液对形成于基板(8)的表面的覆膜进行液处理的液处理部(38)；向所述液处理部(38)供给蚀刻液的蚀刻液供给部(39)；控制所述蚀刻液供给部(39)的控制部(7)，所述控制部(7)以如下方式进行控制：将针对所述覆膜的蚀刻速率较低的状态的蚀刻液从所述蚀刻液供给部(39)向所述液处理部(38)供给而利用所述液处理部(38)对所述基板(8)进行蚀刻处理，之后，将针对所述覆膜的蚀刻速率较高的状态的蚀刻液从所述蚀刻液供给部(39)向所述液处理部(38)供给而利用所述液处理部(38)对所述基板(8)进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN105612607A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480053037.9
申请日：2014-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/67086
Abstract: (课题)不全部更换蚀刻液，而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。(技术手段)蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式，在第2部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出，将新的蚀刻液以第4设定量供给。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682430A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821638.8
申请日：2003-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: H02P5/00
CPC classification number: H02P27/00
Abstract: 本发明的旋转驱动装置包括通过来自电源(71)的供应电压产生伺服马达(30)的转矩的转矩发生回路(72)，和控制马达旋转的马达控制回路(73)，在转矩发生回路(72)中设置检测供应电压水平和降低时间的电容器(76)，并且可将由该电容器(76)检测出的电压降低信息传递到上位控制器(70)。上位控制器(70)预先记忆可在规定时间内复电的瞬时停电下的电压降低和时间的复电信息，以及与该复电信息相对应的马达的旋转控制方式信息，并且对电压降低信息和复电信息以及马达的旋转控制方式信息进行比较处理，基于该控制信号控制伺服马达(30)的旋转。而且，与驱动中的电压降低相对应地控制旋转，抑制驱动时间的增加，实现生产率的提高和抑制电压降低产生的旋转停止而导致的振动。
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公开(公告)号：CN110660708B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910579451.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，能够高精度地变更使基板浸在其中来对基板进行处理的处理液的成分浓度。基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液，该处理液包含第一成分和沸点比所述第一成分的沸点高的第二成分，使基板浸在该处理液中来对基板进行处理；调整液供给部，其向所述处理槽供给调整液，该调整液包含所述第一成分，用于调整所述第二成分在所述处理液中所占的浓度；以及控制部，其控制所述调整液供给部，其中，在变更所述浓度时，所述控制部基于变更后的所述浓度与变更前的所述浓度的浓度差来计算与变更后的所述浓度相当的所述处理槽中的液面高度，基于进行所述计算得到的所述液面高度来控制所述调整液向所述处理槽的供给。
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公开(公告)号：CN109494175B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201811057819.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够恰当地进行处理液的浓度变更的基板液处理装置和存储介质。基板液处理装置(A1)具备：处理液贮存部(38)，其贮存处理液；处理液排出部(41)，其将处理液从处理液贮存部(38)排出；以及控制部(7)，其控制处理液排出部(41)，控制部(7)执行将处理液贮存部(38)的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定模式中的第一控制以及变更处理液贮存部(38)的处理液的浓度的浓度变更模式中的第二控制，在第二控制中，所述控制部比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，所述控制部控制处理液排出部(41)，以开始处理液的排出。
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公开(公告)号：CN109585337B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201811139670.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。
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公开(公告)号：CN108428645B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810150054.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动；以及加热器(52)，其设置于循环线，加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。
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