公开(公告)号：CN1682340A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822080.6

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  三桥康至 ,  三枝秀仁 ,  高濑均 ,  中山博之

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。

公开(公告)号：CN1557018A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818626.5

申请日：2002-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山智一 ,  三枝秀仁 ,  冈山信幸 ,  饭室俊一 ,  今福光祐 ,  长山将之 ,  三桥康至 ,  中山博之 ,  黄亚辉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。