公开(公告)号：CN101473064B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780022462.1

申请日：2007-05-30

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  岩出卓 ,  田口贡士 ,  山崎光生

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。

公开(公告)号：CN101473064A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022462.1

申请日：2007-05-30

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  岩出卓 ,  田口贡士 ,  山崎光生

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。

公开(公告)号：CN1236115C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN01800632.9

申请日：2001-03-26

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 岩出卓 ,  藤井恭 ,  西大路诚 ,  山下雅充

IPC: D01D5/092

CPC classification number: D01D5/092

Abstract: 本发明的熔融纺丝卷取装置是把由喷丝头熔融纺丝了的纺出丝条冷却并加以卷取的卷取装置，配置在喷丝头下方的冷却装置由冷却风导入部、空气喷射器部和气流导引管构成，冷却风导入部围在纺出丝条周围，空气喷射器部连接在冷却风导入部的下部并将压缩气流喷射到纺出丝条周围，气流导引管连接在空气喷射器部的下部；空气喷射器部按照以下方式构成，内侧配设有内管，在内管外侧同心配设有外管，在内管和外管之间形成用于喷射压缩空气的喷射口，该喷射口的喷射方向平行于内管轴向；从该喷射口喷出的压缩气流的速度比从该内管中流出的气流的速度高，从而使纺出丝条向这两个气流的交界层弯曲位移并使构成的纤丝彼此间的距离扩大，由此促进冷却。

公开(公告)号：CN107849693B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201680043453.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  中北和德 ,  山本清人

IPC: C23C16/50 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00

Abstract: 本发明提供密封膜形成装置和密封膜形成方法，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。具体而言，该密封膜形成装置具备：第一减压腔室4，其对基材W进行容纳；覆盖膜形成部2，其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至第一减压腔室4内所容纳的基材W而形成覆盖膜93；第二减压腔室5，其对基材W进行容纳；被减压的减压输送路6，其是基材W从第一减压腔室4到第二减压腔室5的输送路径；以及密封膜形成部3，其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在第二减压腔室5内所容纳的基材W上的覆盖膜93而形成密封膜90。

公开(公告)号：CN107408612B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201680015963.6

申请日：2016-03-23

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 藤元高佳 ,  山下雅充 ,  森诚树 ,  冈裕

IPC: H01L33/58

Abstract: 在LED模块中，将用于解决产生放射到大气的光的输出损失这一问题的方式具体化。具体来说，是一种利用密封树脂对LED芯片进行密封而得的LED模块，其中，该密封树脂的表面被薄膜覆盖，所述薄膜由线膨胀系数比所述密封树脂小的材质构成，在所述薄膜的表面上具有凹凸面，从而该LED模块构成为使来自所述LED芯片的光进行多重反射。

公开(公告)号：CN106232868B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201580020201.0

申请日：2015-02-23

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  阵田敏行 ,  藤元高佳 ,  宫下胜好

IPC: C23C16/54

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置通过抑制一个制膜腔室中的薄膜材料气体进入其他制膜腔室，能够抑制所形成的薄膜的膜质的下降。即，该薄膜形成装置通过在使带状基材沿着主辊的外周面的状态下对带状基材进行输送并进行表面处理，由此在带状基材上形成薄膜，该薄膜形成装置以下述方式构成：其具备收纳主辊的主辊腔室以及在主辊的外径侧周向排列的多个制膜腔室，在所述间隔部上设置有将带状基材所移动的主辊的外周面覆盖的主辊罩，在该主辊罩上形成有与所述制膜腔室连通的制膜腔室连通部，将由所述主辊罩和主辊的外周面形成的主辊罩内的压力设定成比所述制膜腔室的压力高。

公开(公告)号：CN107849693A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043453.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  中北和德 ,  山本清人

IPC: C23C16/50 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00

Abstract: 本发明提供密封膜形成装置和密封膜形成方法，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。具体而言，该密封膜形成装置具备：第一减压腔室4，其对基材W进行容纳；覆盖膜形成部2，其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至第一减压腔室4内所容纳的基材W而形成覆盖膜93；第二减压腔室5，其对基材W进行容纳；被减压的减压输送路6，其是基材W从第一减压腔室4到第二减压腔室5的输送路径；以及密封膜形成部3，其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在第二减压腔室5内所容纳的基材W上的覆盖膜93而形成密封膜90。

公开(公告)号：CN107408612A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680015963.6

申请日：2016-03-23

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 藤元高佳 ,  山下雅充 ,  森诚树 ,  冈裕

IPC: H01L33/58

Abstract: 在LED模块中，将用于解决产生放射到大气的光的输出损失这一问题的方式具体化。具体来说，是一种利用密封树脂对LED芯片进行密封而得的LED模块，其中，该密封树脂的表面被薄膜覆盖，所述薄膜由线膨胀系数比所述密封树脂小的材质构成，在所述薄膜的表面上具有凹凸面，从而该LED模块构成为使来自所述LED芯片的光进行多重反射。