公开(公告)号：CN101473064B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780022462.1

申请日：2007-05-30

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  岩出卓 ,  田口贡士 ,  山崎光生

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。

公开(公告)号：CN101473064A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022462.1

申请日：2007-05-30

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  岩出卓 ,  田口贡士 ,  山崎光生

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。