公开(公告)号：CN116568392A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202280007796.6

申请日：2022-01-28

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 菅沼直登 ,  寺田丰治 ,  山原基裕 ,  登尾一幸 ,  田口贡士

IPC: B01J19/08

Abstract: 本发明提供一种能够在基板表面形成高密度的自组装单分子膜的层积体制造装置。具体而言，层积体制造装置具备：真空腔，其容纳基板；气体导入口，其向真空腔内导入气体；以及等离子体产生部，其在真空腔内形成等离子体气氛，该层积体制造装置构成为具有下述模式：表面亲水化模式，在向真空腔内供给了赋予亲水性基团的蒸发源的状态下，利用由等离子体产生部形成的等离子体气氛对基板的膜形成面进行改性，使该膜形成面亲水化；以及自组装模式，在真空腔内为在真空中、供给有促进自组装单分子膜的前体材料的水解的蒸发源的状态下，对膜形成面被亲水化了的基板供给自组装单分子膜的前体材料的蒸发源，从而在亲水化的膜形成面上形成自组装单分子膜。

公开(公告)号：CN101473064B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780022462.1

申请日：2007-05-30

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  岩出卓 ,  田口贡士 ,  山崎光生

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。

公开(公告)号：CN101473064A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022462.1

申请日：2007-05-30

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  岩出卓 ,  田口贡士 ,  山崎光生

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。