一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法

    公开(公告)号:CN111384601A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN202010201666.9

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明公开了一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法,该方法包含:将电连接器和绝缘子以温度A℃±10℃焊接在TR组件盒体上;将电阻电容以温度B℃±10℃焊接在印制板上,其中,A℃≥B℃+20℃;将微带板和带有电容电阻的印制板以温度C℃±10℃焊接在TR组件盒体上,其中,B℃≥C℃+20℃;将带有芯片的钼铜垫片载体以温度D℃±10℃焊接在TR组件盒体上,其中,C℃≥D℃+20℃;对TR组件盒体气密性封装,将盖板焊接在TR组件盒体的顶部。其优点是:该方法采用多温度梯度装配的方式,使相邻温度梯度的焊接装配温度相差至少20℃,确保了所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险,避免了在装配过程中出现焊接重熔现象,提高了TR组件整体焊接装配的可靠性。

    采用竖直碳纳米管纤维阵列提高焊点热疲劳抗性的方法

    公开(公告)号:CN108109981A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711268689.6

    申请日:2017-12-05

    Inventor: 陈思 王帅 高源

    CPC classification number: H01L23/488 H01L23/4924 H01L23/4928

    Abstract: 本发明公开了一种采用竖直碳纳米管纤维阵列提高焊点热疲劳抗性的方法,其包含:步骤1,在生长基板上生长竖直碳纳米纤维阵列;步骤2,使用离子溅射法在竖直碳纳米纤维阵列中的每根纤维表面先后镀Ti金属层和Au金属层;步骤3,将竖直碳纳米纤维阵列镀有Au金属层的一端置于元器件镀金焊盘表面,加热,并施加压力,使得Au‑Au键合;步骤4,冷却至室温后,移除生长基板;步骤5,使用表面贴装技术将带有碳纳米纤维强化层的元器件焊接在印制电路板焊盘上。本发明将采用化学气相沉积法获得的VACNF,通过金‑金键合法转移到指定元器件焊盘表面后会在该焊盘表面形成VACNF强化层,该强化层可有效限制疲劳裂纹在焊点与元器件焊盘界面处的生长,延长焊点的疲劳寿命。

    一种基于CRIO控制器的一体化自动测试设备及测试方法

    公开(公告)号:CN119105457A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411241998.4

    申请日:2024-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于CRIO控制器的一体化通用自动测试设备,包括:测控计算机,设置在所述测控计算机的机箱内的PXI采集卡、PXI矩阵卡和万用表卡;测控插箱,CRIO控制器,与被测产品连接,建立与被测产品的定时通信;程控电源,为被测产品供电;交换机,交换机通过LAN接口连接测控计算机、CRIO控制器、程控电源和示波器;示波器用于采集和分析信号波形;测控插箱对被测产品产生的待采集信号进行处理并转发给PXI矩阵卡;PXI矩阵卡用于控制待采集信号的通断,以使万用表卡采集到所需要采集的对应的所述待采集信号的输出值;测控计算机读取所述万用表卡的采集值;PXI采集卡用于采集被测产品高速信号并产生被测产品所需的激励信号本发明适合多种信号采集、通信形式,提高了一体化自动测试设备的通用性,解决了一体化自动测试设备自动化程度低和LabVIEW平台通信精度低,无法实现精确定时通信的问题。

    一种低剖面双频双极化复合相控阵天线阵列

    公开(公告)号:CN117239440A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311209519.6

    申请日:2023-09-19

    Abstract: 本发明涉及一种低剖面双频双极化复合相控阵天线阵列,所述天线阵列包含2m个低剖面双频复合天线线阵,每个低剖面双频复合天线线阵包含2n个低剖面双频复合天线子阵,m和n均为自然数。其中,每个所述的低剖面双频复合天线子阵包含:混压微带结构;金属底座,位于混压微带结构的下方并与其相连,且每个所述的低剖面双频复合天线子阵中设置有至少4个Ku波段天线结构以及1个X波段天线结构。本发明可适用于圆极化应用场景,有效解决传统复合相控阵天线中存在的仅针对线极化设计、剖面过高、口径利用率低的问题。

    一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法

    公开(公告)号:CN108091582A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711228782.4

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其包含以下步骤:步骤1:将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块,烧结温度为T1;步骤2:将基板与电连接器焊接在盒体上,焊接温度为T2;步骤3:将表面贴装器件焊接在基板上,焊接温度为T3;步骤4:将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上,烧结温度为T4;步骤5:将其余芯片通过导电胶粘结在基板上,固化温度为T5。本发明所提供的装配方法可以有效确保所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险;大功率芯片与载体、载体模块与盒体的装配均采用纳米银浆烧结,能够显著改善功率芯片的散热问题;使用纳米银浆作为互连材料,其可装配性及操作性均比钎焊焊料优越。

    一种水基纳米银浆减薄方法及其用途

    公开(公告)号:CN105414556A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510839979.6

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: B22F9/06 B22F1/0022 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种水基纳米银浆减薄方法及其用途,该方法包含:步骤1,向水基纳米银浆中加入去离子水,进行稀释清洗;步骤2,搅拌、充分混合;步骤3,向混合溶液中加入硝酸盐电解质溶液,进行絮凝;步骤4,高速离心分离,去除上层溶液,保留底部纳米银浆;步骤5,重复步骤1-4若干次,得到有机包覆层减薄后的水基纳米银浆。本发明通过减薄稀释纳米银颗粒表面的有机包覆层,达到降低纳米银浆烧结温度、缩短烧结时间的效果,实现无压力辅助烧结互连;本发明制备的纳米银浆,用于芯片级烧结互连工艺,显著改善了未做减薄处理前纳米银浆互连接头的力学性能及热导率,对大功率密度电子封装中芯片级互连的散热意义重大。

Patent Agency Ranking