公开(公告)号：CN108091582B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201711228782.4

申请日：2017-11-29

Applicant: 上海无线电设备研究所

Inventor： 王帅 ,  陈思 ,  高源 ,  范萍

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法，其包含以下步骤：步骤1：将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块，烧结温度为T1；步骤2：将基板与电连接器焊接在盒体上，焊接温度为T2；步骤3：将表面贴装器件焊接在基板上，焊接温度为T3；步骤4：将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上，烧结温度为T4；步骤5：将其余芯片通过导电胶粘结在基板上，固化温度为T5。本发明所提供的装配方法可以有效确保所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险；大功率芯片与载体、载体模块与盒体的装配均采用纳米银浆烧结，能够显著改善功率芯片的散热问题；使用纳米银浆作为互连材料，其可装配性及操作性均比钎焊焊料优越。

公开(公告)号：CN108091582A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711228782.4

申请日：2017-11-29

Applicant: 上海无线电设备研究所

Inventor： 王帅 ,  陈思 ,  高源 ,  范萍

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法，其包含以下步骤：步骤1：将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块，烧结温度为T1；步骤2：将基板与电连接器焊接在盒体上，焊接温度为T2；步骤3：将表面贴装器件焊接在基板上，焊接温度为T3；步骤4：将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上，烧结温度为T4；步骤5：将其余芯片通过导电胶粘结在基板上，固化温度为T5。本发明所提供的装配方法可以有效确保所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险；大功率芯片与载体、载体模块与盒体的装配均采用纳米银浆烧结，能够显著改善功率芯片的散热问题；使用纳米银浆作为互连材料，其可装配性及操作性均比钎焊焊料优越。