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公开(公告)号：CN108091582B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201711228782.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法，其包含以下步骤：步骤1：将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块，烧结温度为T1；步骤2：将基板与电连接器焊接在盒体上，焊接温度为T2；步骤3：将表面贴装器件焊接在基板上，焊接温度为T3；步骤4：将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上，烧结温度为T4；步骤5：将其余芯片通过导电胶粘结在基板上，固化温度为T5。本发明所提供的装配方法可以有效确保所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险；大功率芯片与载体、载体模块与盒体的装配均采用纳米银浆烧结，能够显著改善功率芯片的散热问题；使用纳米银浆作为互连材料，其可装配性及操作性均比钎焊焊料优越。
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公开(公告)号：CN106378508B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201611041707.2
申请日：2016-11-22
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明公开一种适用于纳米复合焊料的真空焊接方法，该焊接方法包含：在助焊剂中的溶剂开始挥发阶段进行第一阶段抽真空，从焊膏中排出挥发的溶剂；在合金粉末熔化阶段进行第二阶段抽真空，进一步排出熔融焊料中的气体和助焊剂。本发明针对纳米复合焊料中纳米颗粒轻小易流失问题，采用了两阶段抽真空焊接方法，可防止熔融焊料在抽真空过程中飞溅，从而减少纳米颗粒的流失，同时本发明提供的真空环境可促进焊接过程中助焊剂的排出，减小焊点孔隙率。
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公开(公告)号：CN106493389A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611064668.8
申请日：2016-11-28
Applicant: 上海无线电设备研究所
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018
Abstract: 本发明公开了一种复合粒径纳米银膏的制备方法，包含：步骤1，采用二水合柠檬酸钠与七水合硫酸亚铁还原硝酸银，离心分离，将纳米银颗粒于超纯水中分散，加入二水合柠檬酸钠絮凝，再次离心分离，重复超过3次分散、絮凝再离心分离步骤，得到第一尺寸纳米银颗粒；步骤2，采用二水合柠檬酸钠还原硝酸银；采用二水合柠檬酸钠溶液絮凝；离心分离获得第二尺寸纳米银颗粒；步骤3，将第一尺寸与第二尺寸纳米银颗粒以质量比2:1~5:1混合、分散在超纯水中；加入二水合柠檬酸钠溶液絮凝；离心分离获得复合粒径纳米银膏。本发明提供的复合粒径纳米银膏的热导率大幅提高，且改善了纳米银膏低温烧结互连条件下获得的互连接头高温服役过程中尺寸不稳定的情况。
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公开(公告)号：CN106591837A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611065243.9
申请日：2016-11-28
Applicant: 上海无线电设备研究所
CPC classification number: C23C28/32 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C28/34 , D01F9/1275 , D06M11/83 , D06M2101/40
Abstract: 本发明公开了一种转移竖直碳纳米纤维阵列的方法，该方法包含：第一步：使用化学气相沉积法，在生长基板上制备竖直碳纳米纤维阵列；第二步：将第一步所得的竖直纳米纤维阵列放入离子溅射设备内，使用离子溅射法在碳纳米纤维阵列的每根纤维表面上先后镀上Ti金属镀层和Au金属镀层；第三步：将第二步所得的带有金属镀层的竖直碳纳米纤维阵列的顶端置于镀金焊盘表面，所述的镀金焊盘表面镀层为Au镀层，施加压强和温度使形成Au‑Au键合；第四步：降低温度至生长基板和焊盘的温度降至室温，将生长基板移除，竖直碳纳米纤维阵列转移至焊盘表面。本发明的方法能够形成Au‑Au键合，增强键合的稳定性，具有更好的工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN105935845B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610401902.5
申请日：2016-06-08
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法，该焊料按重量百分比计包含碲化铋纳米颗粒0.5~1%、锡银铜微米粉末80~90%以及助焊剂10~20%。碲化铋纳米颗粒的平均粒径为20nm，碲元素与铋元素的原子比为3:2。锡银铜微米粉末的平均粒径为30μm锡元素、银元素与铜元素的重量百分比为96.5%：3.0%：0.5%。助焊剂为松香助焊剂。本发明还提供了该碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料的使用方法。本发明提供的本发明提供的碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法，通过选用合适的纳米颗粒材料解决了纳米颗粒强化的锡银铜焊料所面临的纳米颗粒流失、纳米颗粒粗化以及纳米颗粒与锡银铜焊料界面的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106378508A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611041707.2
申请日：2016-11-22
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明公开一种适用于纳米复合焊料的真空焊接方法，该焊接方法包含：在助焊剂中的溶剂开始挥发阶段进行第一阶段抽真空，从焊膏中排出挥发的溶剂；在合金粉末熔化阶段进行第二阶段抽真空，进一步排出熔融焊料中的气体和助焊剂。本发明针对纳米复合焊料中纳米颗粒轻小易流失问题，采用了两阶段抽真空焊接方法，可防止熔融焊料在抽真空过程中飞溅，从而减少纳米颗粒的流失，同时本发明提供的真空环境可促进焊接过程中助焊剂的排出，减小焊点孔隙率。
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公开(公告)号：CN105935845A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610401902.5
申请日：2016-06-08
Applicant: 上海无线电设备研究所
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/3601
Abstract: 本发明公开了一种碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法，该焊料按重量百分比计包含碲化铋纳米颗粒0.5~1%、锡银铜微米粉末80~90%以及助焊剂10~20%。碲化铋纳米颗粒的平均粒径为20nm，碲元素与铋元素的原子比为3:2。锡银铜微米粉末的平均粒径为30μm锡元素、银元素与铜元素的重量百分比为96.5%：3.0%：0.5%。助焊剂为松香助焊剂。本发明还提供了该碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料的使用方法。本发明提供的本发明提供的碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法，通过选用合适的纳米颗粒材料解决了纳米颗粒强化的锡银铜焊料所面临的纳米颗粒流失、纳米颗粒粗化以及纳米颗粒与锡银铜焊料界面的问题。
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公开(公告)号：CN111384601A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010201666.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法，该方法包含：将电连接器和绝缘子以温度A℃±10℃焊接在TR组件盒体上；将电阻电容以温度B℃±10℃焊接在印制板上，其中，A℃≥B℃+20℃；将微带板和带有电容电阻的印制板以温度C℃±10℃焊接在TR组件盒体上，其中，B℃≥C℃+20℃；将带有芯片的钼铜垫片载体以温度D℃±10℃焊接在TR组件盒体上，其中，C℃≥D℃+20℃；对TR组件盒体气密性封装，将盖板焊接在TR组件盒体的顶部。其优点是：该方法采用多温度梯度装配的方式，使相邻温度梯度的焊接装配温度相差至少20℃，确保了所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险，避免了在装配过程中出现焊接重熔现象，提高了TR组件整体焊接装配的可靠性。
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公开(公告)号：CN108109981A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711268689.6
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: H01L23/488 , H01L23/492
CPC classification number: H01L23/488 , H01L23/4924 , H01L23/4928
Abstract: 本发明公开了一种采用竖直碳纳米管纤维阵列提高焊点热疲劳抗性的方法，其包含：步骤1，在生长基板上生长竖直碳纳米纤维阵列；步骤2，使用离子溅射法在竖直碳纳米纤维阵列中的每根纤维表面先后镀Ti金属层和Au金属层；步骤3，将竖直碳纳米纤维阵列镀有Au金属层的一端置于元器件镀金焊盘表面，加热，并施加压力，使得Au‑Au键合；步骤4，冷却至室温后，移除生长基板；步骤5，使用表面贴装技术将带有碳纳米纤维强化层的元器件焊接在印制电路板焊盘上。本发明将采用化学气相沉积法获得的VACNF，通过金‑金键合法转移到指定元器件焊盘表面后会在该焊盘表面形成VACNF强化层，该强化层可有效限制疲劳裂纹在焊点与元器件焊盘界面处的生长，延长焊点的疲劳寿命。
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公开(公告)号：CN108091582A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711228782.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法，其包含以下步骤：步骤1：将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块，烧结温度为T1；步骤2：将基板与电连接器焊接在盒体上，焊接温度为T2；步骤3：将表面贴装器件焊接在基板上，焊接温度为T3；步骤4：将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上，烧结温度为T4；步骤5：将其余芯片通过导电胶粘结在基板上，固化温度为T5。本发明所提供的装配方法可以有效确保所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险；大功率芯片与载体、载体模块与盒体的装配均采用纳米银浆烧结，能够显著改善功率芯片的散热问题；使用纳米银浆作为互连材料，其可装配性及操作性均比钎焊焊料优越。
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