公开(公告)号：CN103227239A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310111724.9

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 钱隽 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  李季戎 ,  王国华 ,  周平生

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。

公开(公告)号：CN103208563A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310111690.3

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 廖阳 ,  史伟民 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  王国华 ,  刘功龙 ,  陆舒逸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜与金电极形成良好欧姆接触的制备方法，属于半导体厚膜制备技术领域。以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用超声辅助气相沉积装置制得了多晶碘化汞薄膜，再对薄膜进行表面处理，最后真空蒸镀一层金电极阵列。通过该方法可得到较好的金半接触，金电极与薄膜之间有很好的粘附性，I-V的正反响应特性都较好，金属电极漏电流小，性能稳定。该方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器特别适合于对X射线、Gama射线的探测，本发明具有潜在的实际应用前景。

公开(公告)号：CN102709404A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210205718.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  周平生 ,  周平华 ,  李杰 ,  瞿晓雷 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  张月璐 ,  许月阳

IPC: H01L31/20 ,  C23C16/44

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。