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公开(公告)号：CN102154705B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110061066.8
申请日：2011-03-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明是涉及一种锑化铟纳米晶体的制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为锑化铟纳米晶体。本发明的制备方法是：将Sb2O3、In(NO3)3·9/2H2O、PEG200和乙二醇在250mL的三颈烧瓶中混和作为生长溶液；将NaBH4溶于乙二胺作为储备液。在氮气保护气氛下将生长溶液油浴到140℃，保持30分钟磁力搅拌。然后将油裕温度调至反应温度(120℃～180℃)。用针筒将储备液迅速注入到生长溶液当中(～2S)，保持油浴温度和磁力搅拌。从反应5min到5h中间对反应液进行抽样。向抽取反应液中加入适量乙醇，以15000rpm转速离心20min分离产物(InSb)。本制备方法是一种低温(120-180℃)制备InSb纳米晶体的高效、廉价、无需催化剂、相对安全的液相制备方法；所得产物性质稳定、颗粒均匀；它可用于提供一种适用于高速电子元件、磁性元件和远红外波段的光电元件的锑化铟纳米晶体。
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公开(公告)号：CN102299211A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110280751.X
申请日：2011-09-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种二步法硫化镉薄膜制备方法。该方法的具体步骤为：分别配置氯化镉和氯化氨溶液混合后加入ITO导电玻璃和磁振子，将溶液烧杯放置于高温95℃下恒温加热搅拌器搅拌；溶液中缓慢加入氨水并搅拌；称量硫脲溶于少量去离子水，完全溶解后缓慢注入溶液，硫化镉薄膜开始在ITO表面生长；经生长后将ITO玻璃取出，并用去离子已经超声震荡清洗，将清洗后的ITO玻璃放置于干燥箱干燥。然后以低温75℃恒温条件下重复上述步骤。最后将干燥后的ITO玻璃进行氮气保护气体氛围下进行退火。最终制得双层薄膜。本发明制得的CdS双层薄膜透过率高、光学开关响应好、缺陷极少、表面粗糙度小；它可以应用于太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN113061971A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110214026.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113046830A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110213111.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法，利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液，有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂，及调节溶剂之间的不同配比，有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境，同时合理调节不同生长阶段的降温速度，使用正温结晶法生长出大尺寸，高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶，使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单，成本低廉，过程可控，且制备的材料无毒无害对人体和环境友好，为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案，具有显著推广价值。
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公开(公告)号：CN105891949B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610338171.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。
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公开(公告)号：CN106682263A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611041296.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 上海大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明公开了一种手持式的碘化汞核辐射探测器的核脉冲处理、计数的系统与方法，该系统包括封装一体的探测晶体和前置放大器、高速AD转换器、Wifi模块、个人电脑端应用程序和充电稳压升压模块；该方法采用基于二进小波的连续小波变换实现了核脉冲去噪；采用基于bior1.1小波函数的连续小波变换实现了核辐射脉冲的抗堆叠与脉冲计数。本发明方法无需进行进一步放大或者抗堆叠等复杂电学处理，直接采用40MSPS的高速AD转换器采样，得到数字脉冲序列，通过CC3200Wifi模块将脉冲序列发送至PC机的Wifi调试助手，在PC中进行小波变换便可完成核脉冲信号的去噪、成形与计数处理，大大简化了传统的简易核辐射检测仪的模拟信号处理电路，降低了简易核辐射检测系统的生产与研发成本。
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公开(公告)号：CN105315996A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510826546.7
申请日：2015-11-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnTe/ZnSe核壳型量子点及其制备方法。该量子点是以ZnTe为核，在其表面修饰ZnSe；所述的ZnTe核的粒径为5nm左右；所述的核与壳的质量比为：1:2。本发明制备的ZnTe/ZnSe量子点具有稳定性好、团聚少等特点，可在常温避光存储下储藏两个月之久，说明其稳定性较好。解决了量子点稳定性较差，无法长期存储问题，使其在生物荧光标记和光电材料等领域显示出很大的应用前景。本发明方法在酸性条件下进行，抑制了水溶液中Zn离子的水解，通过对ZnTe量子点表面包覆，制备出了较高量子产率、高稳定性的ZnTe/ZnSe量子点。
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