-
公开(公告)号：CN109839595A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910193108.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/367 , G01R31/388 , G01R31/392
Abstract: 本发明公开一种基于充电电压特性的电池荷电状态确定方法及系统。该确定方法包括：采集电芯充电至满充状态的荷电数据，获得满充荷电数据；提取所述满充荷电数据中的特征位置，获得基本特征位置，特征位置包括所述电芯的电压对时间的变化率的极值和拐点、电芯的电压对充电电量变化率的极值和拐点、电芯的荷电状态对电压变化率的极值和拐点；将电芯应用到实际环境后，获得应用电芯；判断应用电芯的充电状态是否充满，如果是，计算应用电芯的特征位置；否则，根据基本特征位置修正充电过程中的荷电状态。通过判断应用电芯的充电状态是否充满，提高了安时积分法的积分电量的准确度，提高了未充满处积分初值的精确度。
-
-
公开(公告)号：CN109980113A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910269033.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管及其制备方法，本发明提供的有机发光二极管，包括ITO基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和电极层；所述空穴注入层为PEDOT:PSS层和MoS2量子点层。本发明主要是通过MoS2量子点层来增强有机发光二极管(OLED)的空穴注入能力，同时，所述MoS2量子点层可以阻挡PEDOT:PSS层吸收水分，提高有机发光二极管器件的稳定性。根据实施例的记载，本发明所述的发光二极管器件的最高电流效率最高可达73.5cd·A‑1，较现有技术中的最高电流效率(60.2cd·A‑1)有了较大的提高。
-
公开(公告)号：CN112397665A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011222393.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法，通过增强电子注入提升倒置有机电致发光器件性能。其倒置有机电致发光器件结构包括ITO基板、掺杂型电子注入层、能级匹配层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；本发明具体通过溶液工艺用氟化铯的甲醇溶液对二氧化锡溶液进行处理，所制备的氟化铯掺杂二氧化锡纳米颗粒薄膜相较于未处理二氧化锡薄膜电子迁移率得到提升。将其用做倒置有机电致发光器件的电子注入层，使相较于未处理二氧化锡薄膜做电子注入层的器件，本发明器件电子电流升高，驱动电压降低。本发明掺杂型电子注入层由工艺简单的溶液法制备获得，为实现低驱动电压、高效率的倒置溶液加工OLED器件提供了有效方案。
-
公开(公告)号：CN110190199B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910500021.2
申请日：2019-06-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法，本发明提供的空穴注入薄膜，包括CuSCN和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)。本发明所述的空穴注入薄膜可以提高发光二极管的发光效率和使用寿命；根据实施例的记载，本发明所述空穴注入薄膜制备得到的发光二极管的最高发光效率可达56.6cd·A‑1，最高流明效率可达55.1m·W‑1。本发明所述的空穴注入薄膜的制备方法确保了在低温(100～130℃)条件下成功制备得到含有CuSCN和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)的薄膜。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN109783394B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910193316.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 上海大学
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开一种电池管理系统功能测试方法、系统以及硬件测试平台，方法包括：获取待测电池管理系统测试项目文件；对待测电池管理系统测试项目文件进行编辑；将编辑后的测试项目文件传输至PC上位机；判断编辑后的测试项目文件的格式是否是预先设定的标准格式，若编辑后的测试项目文件的格式是预先设定的标准格式，则将所述编辑后的测试项目文件发送至预先搭建好的硬件测试平台对待测电池管理系统进行测试；若编辑后的测试项目文件的格式不是预先设定的标准格式则重新对待测电池管理系统测试项目文件进行编辑。本发明中的方法能够实现对多种环境不同客户需求的电池管理系统的功能的测试。
-
公开(公告)号：CN110190199A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910500021.2
申请日：2019-06-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法，本发明提供的空穴注入薄膜，包括CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)。本发明所述的空穴注入薄膜可以提高发光二极管的发光效率和使用寿命；根据实施例的记载，本发明所述空穴注入薄膜制备得到的发光二极管的最高发光效率可达56.6cd·A-1，最高流明效率可达55.1m·W-1。本发明所述的空穴注入薄膜的制备方法确保了在低温(100～130℃)条件下成功制备得到含有CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)的薄膜。
-
公开(公告)号：CN109860409A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910170878.2
申请日：2019-03-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种锂掺杂氧化镍薄膜的制备方法及OLED器件，所述制备方法首先取一块洗净的玻璃或者透明电极作为衬底，用紫外灯处理15min；将六水合硝酸镍和硝酸锂溶于有机溶剂A中，再加入有机助燃剂C，室温搅拌24h溶解均匀形成溶液B；其次将处理后的衬底置于氮气氛围的手套箱内，用移液枪吸取溶液B滴于衬底上，再用旋涂仪旋涂形成设定厚度的薄膜；然后将旋涂后的薄膜进行退火处理；最后待退火结束后温度降至室温时，按照设定时间用紫外灯照射退火后的薄膜进行氧化处理。本发明在低温条件下就能获得具有高电导率的纳米锂掺杂氧化镍薄膜，不仅降低能源和原材料消耗，还将锂掺杂氧化镍薄膜作为空穴注入层，进而提升OLED器件的发光性能。
-
公开(公告)号：CN112397665B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011222393.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法，通过增强电子注入提升倒置有机电致发光器件性能。其倒置有机电致发光器件结构包括ITO基板、掺杂型电子注入层、能级匹配层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；本发明具体通过溶液工艺用氟化铯的甲醇溶液对二氧化锡溶液进行处理，所制备的氟化铯掺杂二氧化锡纳米颗粒薄膜相较于未处理二氧化锡薄膜电子迁移率得到提升。将其用做倒置有机电致发光器件的电子注入层，使相较于未处理二氧化锡薄膜做电子注入层的器件，本发明器件电子电流升高，驱动电压降低。本发明掺杂型电子注入层由工艺简单的溶液法制备获得，为实现低驱动电压、高效率的倒置溶液加工OLED器件提供了有效方案。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.021 seconds)
