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公开(公告)号：CN104610971A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510029123.2
申请日：2015-01-21
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明涉及一种具有高荧光产率的ZnTe量子点的水相制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为ZnTe量子点，其制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉（Te）反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的乙酸锌、3-巯基丙酸、巯基乙酸溶液中，两者反应生成ZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、量子点荧光产率高、团聚少，它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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公开(公告)号：CN103320135B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310244030.2
申请日：2013-06-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明是涉及一种CdZnTe量子点酸性条件下的水相制备，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为CdZnTe量子点，其制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉（Te）反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的硝酸锌/硝酸镉/3-巯基丙酸溶液中，两者反应生成CdZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、量子产率高、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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公开(公告)号：CN103337566A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310243141.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种图形化衬底制作方法。本方法在衬底的正面采用光刻工艺定义出部分图形化衬底的图案区域，然后在衬底的正面淀积阻挡层，采用lift-off工艺剥离光刻胶，留下衬底表面的阻挡层。再进行一次光刻工艺第一出剩余部分图形化衬底的图案区域，然后在衬底的正面淀积阻挡层，采用lift-off工艺剥离光刻胶，留下衬底表面的阻挡层。最后进行干法或湿法刻蚀工艺，形成图形化衬底。如此可以解决曝光视场之间产生拼接误差，图案拼接部分发生形变，影响HBLED的发光效率的问题。
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公开(公告)号：CN104610971B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510029123.2
申请日：2015-01-21
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明涉及一种具有高荧光产率的ZnTe量子点的水相制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为ZnTe量子点，其制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉（Te）反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的乙酸锌、3‑巯基丙酸、巯基乙酸溶液中，两者反应生成ZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、量子点荧光产率高、团聚少，它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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公开(公告)号：CN103320135A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310244030.2
申请日：2013-06-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明是涉及一种CdZnTe量子点酸性条件下的水相制备，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为CdZnTe量子点，其制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉（Te）反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的硝酸锌/硝酸镉/3-巯基丙酸溶液中，两者反应生成CdZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、量子产率高、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320133A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310242747.3
申请日：2013-06-19
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明是涉及一种ZnSe:Ag量子点的水相制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明的制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和硒粉反应制备硒氢化钠（NaHSe），然后将硒氢化钠注入到用氢氧化钠调节好pH的硝酸锌/3-巯基丙酸溶液中，两者反应生成淡黄棕色透明的ZnSe:Ag量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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公开(公告)号：CN103992797A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187632.3
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明是涉及一种ZnSe:Ag量子点的表面修饰方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明的制备方法是：在制备好的ZnSe:Ag量子点基础上，采用硫脲以及ZnTe对量子点表面进行修饰。修饰过程是在水相中进行的，反应温度为100℃。硫脲直接表面修饰形成ZnSe:Ag/ZnS量子点，ZnTe修饰是采用制备Te源，即利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将碲氢化钠注入到制备好的ZnSe:Ag量子点中，两者反应生成ZnSe:Ag/ZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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公开(公告)号：CN103320134A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310243242.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明是涉及一种ZnSe:Mn量子点的成核水相制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物其内核为MnSe量子点，外层为ZnSe量子点。本发明的制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和硒粉反应制备硒氢化钠（NaHSe），然后将硒氢化钠注入到用氢氧化钠调节好pH的乙酸锰/3-巯基丙酸溶液中，两者反应生成MnSe量子点溶液，然后向MnSe量子点溶液中加入用氢氧化钠调节好pH的乙酸锌/3-巯基丙酸溶液即可形成ZnSe;Mn量子点。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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公开(公告)号：CN105315996A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510826546.7
申请日：2015-11-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnTe/ZnSe核壳型量子点及其制备方法。该量子点是以ZnTe为核，在其表面修饰ZnSe；所述的ZnTe核的粒径为5nm左右；所述的核与壳的质量比为：1:2。本发明制备的ZnTe/ZnSe量子点具有稳定性好、团聚少等特点，可在常温避光存储下储藏两个月之久，说明其稳定性较好。解决了量子点稳定性较差，无法长期存储问题，使其在生物荧光标记和光电材料等领域显示出很大的应用前景。本发明方法在酸性条件下进行，抑制了水溶液中Zn离子的水解，通过对ZnTe量子点表面包覆，制备出了较高量子产率、高稳定性的ZnTe/ZnSe量子点。
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公开(公告)号：CN103555333A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310467753.9
申请日：2013-10-10
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明是涉及一种ZnTe包覆CdZnTe量子点的水相制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物其内核为CdZnTe量子点，在其表面包覆ZnTe壳层。本发明的制备方法是：首先利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好pH的硝酸镉、硝酸锌、3-巯基丙酸溶液中，两者反应生成CdZnTe量子点溶液。向ZnTe量子点溶液中加入以上制备的CdZnTe量子点，即可制备出ZnTe包覆CdZnTe量子点。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。
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