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公开(公告)号：CN109742233A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811581607.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种倒置串联白光量子点发光器件及其制备方法，采用一系列量子点发光层分别作为红、绿或蓝三种不同色光的发光功能层，使各发光单元形成红、绿或蓝三种不同色光的发光器件，通过对红绿蓝三种单个器件结构进行堆叠形成白光串联器件，采用共用电源驱动从而发出白光。本发明通过一系列单个器件结构的堆叠且仅使用单个电源驱动的发光器件，易于对各单元进行分别优化并实现对各发光层颜色的调节，有效提高了器件发光效率，改善了白光器件的稳定性，同时保证了发光寿命。
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公开(公告)号：CN118755470A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410520382.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了绿光钙钛矿量子点复合材料、方法、发光层、二极管及设备；所述钙钛矿量子点由热注入方法合成，包括将铯源与油酸、十八烯反应制备铯源前驱体溶液，铯源包括碳酸铯和/或硬质酸铯；将氧化铅、溴苯乙酮、与十八烯、油酸在第一温度下反应，随后升温至第二温度与油胺反应，获得铅源前驱体溶液；将铯源前驱体溶液在第三温度下注入于铅源前驱体溶液中反应，形成钙钛矿量子点原液；对钙钛矿量子点原液进行提纯，并经过二苯基磷氧配体交换钝化处理，得到绿光钙钛矿量子点复合材料，绿光钙钛矿量子点复合材料包括二苯基磷氧修饰的铯铅溴钙钛矿量子点。本发明通过二苯基磷氧对钙钛矿量子点进行配体交换处理，钝化了铅缺陷，表现出高色纯度和杰出的发光稳定性。
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公开(公告)号：CN111139060B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201911394014.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先以第一温度制备均匀的铟前驱体溶液；然后以第二温度获得均一尺寸的磷化铟核；再以第三温度保温第一时间，形成具有壳层包覆硒化锌的磷化铟量子点；然后进行快速降温至第四温度；再以第五温度合成硫化锌壳层并保温第二时间；然后重复制备硒化锌层～制备硫化锌壳层阶段的过程，形成InP/[ZnSe/ZnS]n多周期核壳结构的大尺寸量子点。本发明方法以InP量子点为核，依次交替包覆ZnSe和ZnS壳层，通过ZnSe晶格对ZnS晶格的拉应力来释放ZnS对内部结构产生的压应力，极大提高了量子点稳定性，并达到超大尺寸的特性，量子点发光效率有了显著的提高。
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公开(公告)号：CN110299459B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910514252.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法，发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组，由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构，对白光LED发光模组进行包覆，反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光，并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光，通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好，发光效率高，所得到的白光LED工艺简单，环境友好，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111690401A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201911394191.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法，首先制备均匀的铟前驱体溶液并配置相应比例的磷前驱体；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入部分三(三甲基硅基)膦；再进行升温过程中，温度到达第二温度时加入剩余的三(三甲基硅基)膦；然后加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。本发明方法通过分比例加入磷源的方式，能够实现在不改变In:P摩尔比的前提下而有效增大量子点的核尺寸，使量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，使量子点的发光效率有了显著的提高，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111117602A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911393742.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度核壳结构的大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先制备均匀的铟前驱体溶液；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入三(三甲基硅基)膦并升温至第二温度，形成磷化铟核；再加入额外的铟前驱体溶液和羧酸锌前驱体，进行磷化铟核的二次生长；然加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。在磷化铟核二次生长的过程中，通过加入羧酸锌以实现梯度核心的制备及便于厚壳硫化锌的包覆，量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN110299459A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910514252.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法，发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组，由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构，对白光LED发光模组进行包覆，反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光，并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光，通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好，发光效率高，所得到的白光LED工艺简单，环境友好，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN118667547A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410659746.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及量子点技术领域，特别涉及一种无镉硫碲化锌核壳量子点材料及其制备方法。将第一Zn前驱体、酸配体和非配位溶剂混合，在惰性气体中在第一温度下溶解，获得第一中间溶液；将所述第一中间溶液升温至第二温度，并加入第一S前驱体和Te前驱体，获得第二中间溶液；将所述第二中间溶液升温至第三温度，并继续加入第二Zn前驱体和第二S前驱体，反应，获得ZnTe(1‑x)Sx/ZnS量子点，其中，所述ZnTe(1‑x)Sx/ZnS量子点包括ZnTe(1‑x)Sx内核和ZnS外壳；所述第一温度小于所述第二温度，所述第二温度小于所述第三温度。
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公开(公告)号：CN110305660B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06
Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An‑1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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公开(公告)号：CN114656950A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210203880.7
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种绿光磷化铟量子点的制备方法，先制备均匀的铟(In)前驱体溶液，并制备磷(P)前驱体溶液，备用；然后在20‑60℃的第一温度下，向在所述步骤a中制备的In前驱体溶液中加入在所述步骤a中制备的P前驱体溶液，并使混合溶液保持至少1h，形成InP纳米晶核，得到InP纳米晶核产物溶液；再降温到不高于室温50℃下，向在所述步骤b中制备的InP纳米晶核产物溶液中，继续加入合成外部壳层所需要的前体物质，并调至230‑310℃的第三温度，形成具有壳层包覆的InPQDs。本发明制得绿光InPQDs并提高其光学性能，其峰位在520～535nm，PLQY大于70％。本发明通过卤素配体交换的方式，在绿光InPQDs合成后进行处理，从而提高了InPQDs的光学性能。
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