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公开(公告)号：CN110518127A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910759803.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面活性剂钝化的钙钛矿太阳能电池及制备方法，通过在钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层薄膜与空穴传输层之间引入表面活性剂钝化层，起到了钝化钙钛矿层薄膜的作用。所述表面活性剂钝化层可改善氧化镍薄膜表面的水接触角，并在后续制备钙钛矿薄膜的过程中，降低钙钛矿晶核数目，使得钙钛矿层的结晶性更好，晶粒尺寸较大。同时本发明公开的钙钛矿太阳能电池，具有更高的光吸收系数，并因为降低了钙钛矿的界面缺陷，故具有更低的缺陷态密度，及更大的开路电压、短路电流密度和填充因子，因此具有更高的光电转换效率，提升了整体性能。并且，本发明公开的钙钛矿太阳能电池中钝化层的制备方法，不需要任何有机溶剂的参与，更加简便和安全。
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公开(公告)号：CN109148636A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810738268.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/173 , H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/173 , H01L31/1844
Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，其中单光子探测器包括光子频率上转换器件和硅单光子雪崩二极管；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅单光子雪崩二极管的受光面相耦接。本发明的上转换单光子探测器探测率高、信噪比好、结构紧凑、制备方便、使用简单，无需复杂的光学光路设计。
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公开(公告)号：CN108878549A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810675157.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。
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公开(公告)号：CN102262698B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110212576.0
申请日：2011-07-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种太阳电池制造技术领域的基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法，根据非晶硅内态密度分布的原始数据建立非晶硅层中的缺陷态分布模型用于计算陷入缺陷态中的电荷，得到修正泊松方程并进一步求出空间电荷区和内建电场的变化，实现基于缺陷态密度对HIT电池性能的影响评估，从而求得最优化的缺陷态密度，用于设置工艺生产中的钝化与清洗操作。与现有技术相比，本发明可靠性高且更加全面。
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公开(公告)号：CN102646747A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210119454.1
申请日：2012-04-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/147 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种集成红外上转换成像或探测器件及其实现方法，它基于红外光子频率上转换的原理，将红外光信号转换为近红外光子，然后利用硅基红外探测和成像器件实现探测和成像。本发明所提供的器件和实现方法，能够大大降低红外探测和成像的成本。除此之外，与一般的红外上转换探测和成像器件相比较，本发明的上转换效率显著提高，同时还具备结构简单、体积小、成本低等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100442443C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510029498.5
申请日：2005-09-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到103cm2/Vs量级。本发明在工艺成熟的单晶硅衬底上生长出的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜有利于制作高性能器件和大规模集成电路，所制备的氢化纳米硅薄膜具有很好的电学性能，并具有高电子迁移率(达到103cm2/Vs量级)和高电导率(在5.7-109.8Ω-1cm-1范围内)等优点。
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公开(公告)号：CN100357755C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410017861.7
申请日：2004-04-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/36
Abstract: 一种太阳能电池有效扩散长度的测试方法，用于能源技术领域。方法步骤为：测量太阳能电池基片材料的载流子浓度；测量太阳能电池的暗伏安特性和负载特性；采用理论公式拟合太阳能电池暗伏安特性得到饱和电流密度J01，J02；结合基片材料的载流子浓度和负载特性给出的开路电压，短路电流密度，用理论公式使求得的与有效扩散长度相关的饱和电流密度同由暗伏安特性给出的饱和电流密度的平方差之和最小，从而得到太阳能电池的有效扩散长度。本发明可避免吸收和反射系数的详细信息，利用常用测试方法便可直接得到太阳能电池的有效扩散长度，还可同时用以指导太阳能电池的结构优化和工艺改进，具有简单、方便、精确度较高、应用性较强和适用范围广的特点。
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公开(公告)号：CN1737997A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510027929.4
申请日：2005-07-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2－4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN1412862A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02150784.8
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L27/14 , G02B1/00 , G02B5/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法属于光电探测器领域。方法步骤如下：选取与探测器材料相同的材料作为反射镜的材料；根据菲涅尔系数矩阵和德鲁得模型，通过数值计算得到没有谐振腔时探测器腔体内的光吸收率；用同样的方法计算谐振腔增强的探测器腔体内的光吸收率，并优化底部反射镜的结构和材料参数；根据优化得到的参数，通过分子束外延生长出谐振腔增强的探测器，并测量其反射和透射光谱，验证这种制备的可行性。本发明制备出的反射镜可以应用在远红外波段，并可以通过MBE生长，生长质量得到保证，使得探测器腔体内的光吸收率大大增强，从而提高了探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN1405549A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02145108.7
申请日：2002-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 半导体薄膜等离子体滤波器的检测方法属于热光伏技术领域。检测方法具体为：(1)测量滤波器材料的带隙以下的红外反射光谱；(2)用理论反射率公式拟合实验结果，得到滤波器的实际参数；(3)通过这些参数和理论公式计算其透射率以及吸收率，以全面地检验滤波器的性能；(4)对滤波器材料的生长参数进行筛选优化。本发明具有实质性特点和显著进步，由于薄膜材料是生长在衬底上或者是集成在热光伏器件中，薄膜层的反射率可以直接测量，而其透射率是不能直接测量的，因此本发明解决的主要问题是，既可以得到可靠的薄膜参数，又可以得到不能直接测量的滤波器性质。通过对滤波器性能的全面检测，可以对滤波器材料的生长参数进行筛选优化。
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