半导体装置的制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115777143B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202080102924.6

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 目的在于提供在将半导体装置螺钉紧固于被安装部件时能够抑制蠕变现象的产生且抑制半导体装置的制造成本上升的技术。半导体装置的制造方法具有工序(a)~工序(e)。在工序(a)中准备具有连结杆(5)、框体(4)、环部(6)和多个引线部(2)、(3)的引线框(1)。在工序(b)中制作组装体。在工序(c)中将组装体配置于型腔(23a)内。在工序(d)中,在销(22)被插入至环部(6)的孔(6a),环部(6)的上表面与上模(20)的内表面抵接的状态下,向型腔(23a)内注入液态的模塑树脂(10),使其固化而制作树脂成型体(100)。在工序(e)中,在从模塑模具(23)取出树脂成型体(100)后,将框体(4)、连结杆(5)及连接部(7)切断。

    半导体装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108496247B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN201680079943.5

    申请日:2016-01-29

    Abstract: 本说明书所公开的技术涉及不使产品尺寸大型化,就能够提高半导体元件的散热性和引线电极的散热性的技术。本技术涉及的半导体装置具有:半导体元件(100):作为外部端子的引线电极(102),其一端的下表面与半导体元件(100)的上表面连接;冷却机构(109),其配置于半导体元件(100)的下表面侧;以及散热机构,其热耦合地配置于引线电极(102)的相对于一端而言的另一端侧的下表面与冷却机构(109)之间,且包含至少1个绝缘层(104)。

    半导体装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106489196B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201480080464.6

    申请日:2014-07-09

    Abstract: 本发明涉及的半导体装置的特征在于,具有:半导体模块,其具有半导体元件、散热板以及树脂,该散热板与该半导体元件连接,在该散热板形成有散热板通孔,该树脂以露出该散热板的下表面的方式将该半导体元件和该散热板覆盖;冷却器;第1绝缘脂,其设置于该散热板的下表面与该冷却器之间,将该散热板与该冷却器热连接;以及第2绝缘脂,其以与该第1绝缘脂连接的方式设置于该散热板通孔。

    半导体装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105900229B

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201480072485.3

    申请日:2014-01-06

    Abstract: 本发明的目的在于提供下述构造的半导体装置,即,防止、抑制在半导体模块和冷却器之间的填充区域设置的脂状物部件的汲出。并且,在本发明中,在半导体模块(30)的散热材料(32)的底面即散热面、和冷却器(40)的表面之间的填充区域设置将脂状物作为构成材料的脂状物层(61)。并且,在冷却器(40)的表面之上形成密封材料(51),该密封材料无间隙地覆盖脂状物层(61)的整个侧面区域。密封材料(51)使用液状硬化型密封剂作为构成材料。

    半导体装置、电力变换装置

    公开(公告)号:CN110476235B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN201780088769.5

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 目的在于提供能够抑制工时的增加,且缓和在半导体元件的电极处的引线框的接合部的周缘部产生的应力的技术。半导体装置(30)具备:半导体元件(3),其搭载于散热器(1)之上;引线框(6),其经由作为接合材料的焊料(2b)而与半导体元件(3)的发射极电极(3a)接合;金属膜化膜(5),其形成于金属膜(4)的表面。金属膜(4)的周缘部在整周均从防氧化膜(5)露出。(4),其形成于发射极电极(3a)的表面;以及防氧

    半导体装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108496247A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201680079943.5

    申请日:2016-01-29

    CPC classification number: H01L23/34

    Abstract: 本说明书所公开的技术涉及不使产品尺寸大型化,就能够提高半导体元件的散热性和引线电极的散热性的技术。本技术涉及的半导体装置具有:半导体元件(100):作为外部端子的引线电极(102),其一端的下表面与半导体元件(100)的上表面连接;冷却机构(109),其配置于半导体元件(100)的下表面侧;以及散热机构,其热耦合地配置于引线电极(102)的相对于一端而言的另一端侧的下表面与冷却机构(109)之间,且包含至少1个绝缘层(104)。

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