液晶聚合物用蚀刻液及液晶聚合物的蚀刻方法

    公开(公告)号:CN113614204A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202080022278.2

    申请日:2020-03-25

    Abstract: 本发明的课题在于提供蚀刻后的液晶聚合物的形状与设计形状接近且能够以高的面内均匀性进行蚀刻的液晶聚合物用蚀刻液和液晶聚合物的蚀刻方法。液晶聚合物用蚀刻液和使用该蚀刻液的液晶聚合物的蚀刻方法的特征在于,该蚀刻液含有作为第1成分的5~45质量%的碱金属氢氧化物和作为第2成分的5~80质量%的分子量为70以上的烷醇胺化合物,优选进一步含有1~60质量%的第3成分,第3成分含有选自醇化合物和羧酸化合物中的至少1种。

    用于树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法

    公开(公告)号:CN110461920A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201880021886.4

    申请日:2018-04-02

    Abstract: 本发明的课题在于,在去除包含碱不溶性树脂和无机填充剂的树脂组合物的加工中,提供含有该树脂组合物而成的树脂组合物层的不产生因过度发热而导致的缺陷、且能够仅去除树脂组合物层的蚀刻液或蚀刻方法。蚀刻液,在用于包含碱不溶性树脂和50~80质量%的无机填充剂的树脂组合物的蚀刻液中,该蚀刻液含有15~45质量%的碱金属氢氧化物、更优选进一步含有5~40质量%的乙醇胺化合物。此外,蚀刻方法,使用该蚀刻液,去除包含碱不溶性树脂和无机填充剂的树脂组合物。

    布线基板的制造方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107969077A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711304405.4

    申请日:2014-05-15

    Abstract: 一种布线基板的制造方法,其特征在于,包含:(A)在电路基板的两面形成厚度不同的阻焊层的工序;(C1)针对厚度比第二面的阻焊层薄的第一面的阻焊层对在作为后工序的工序(B)中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序;(C2)针对第二面的阻焊层对在作为后工序的工序(D)中显影的区域以外的部分进行曝光的工序;(B)利用薄膜化处理液使非曝光部的第一面的阻焊层薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下的工序;(C3)针对第一面的阻焊层对在工序(B)中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序;以及(D)利用显影液来除去第二面的非曝光部的阻焊层的工序。

    阻焊剂图案的形成方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107526251A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710457179.7

    申请日:2017-06-16

    CPC classification number: G03F7/027 G03F7/004 G03F7/168

    Abstract: [课题]本发明的课题在于,提供一种阻焊剂图案的形成方法,该形成方法按顺序至少包括:在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤,和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤,在形成方法中,阻焊剂层的薄膜化所需的时间可以缩短,生产性得以提高。[解决手段]阻焊剂图案的形成方法,其特征在于,在将未固化的阻焊剂层薄膜化的薄膜化步骤中使用的碱性水溶液含有(A)碱性化合物和(B)铵离子,(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)超过0.00且低于1.85。

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