公开(公告)号：CN100412986C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN02154317.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治

IPC: G11C11/40 ,  G11C11/407

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 通过增大施加于选择单元的强介质电容器与非选择单元的强介质电容器的电压之比，获得可提高非选择单元中的抗干扰性的强介质存储器。这种强介质存储器具备包含存储单元，所述存储单元具备；位线；与位线垂直配置的字线；配置在位线及字线之间并对于正、负某一种电压施加方向都以几乎相同绝对值的门电压进行开通的开关元件；以及配置在位线及字线之间并与开关元件串联连接的强介质电容器。

公开(公告)号：CN100370596C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200410008536.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 本间运也 ,  松下重治

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

公开(公告)号：CN1941176A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610154091.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  松下重治

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种存储器，包括：第一次数检测部，其检测出对多个存储器单元块的每一个的访问次数；比较电路，其将由第一次数检测部检测出的对多个存储器单元块的每一个的访问次数进行比较；和更新部，其按照如下方式进行控制，即：基于从比较电路输出的比较数据来选择多个存储器单元块中的规定的存储器单元块，并且，对所选择的存储器单元块中包含的存储器单元优先进行重新写入。

公开(公告)号：CN100550194C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阈值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态。

公开(公告)号：CN100431044C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200410085731.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 坛彻 ,  境直史 ,  松下重治 ,  石塚良行

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供能抑制未选择存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器具有由包含位线、配置为与位线交叉的字线、连接在位线和字线之间的存储单元的存储单元阵列，由于对选择的存储单元访问，在任意的存储单元中发生剩余极化量的恶化后，对全部存储单元进行用于恢复到写入动作后的剩余极化量或外加1次在访问时未选择的存储器上作用的电压的剩余极化量的恢复动作。

公开(公告)号：CN100419909C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03121676.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治 ,  高野洋 ,  関根悟

IPC: G11C11/36

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供可提高非选择的存储器单元中的抗干扰性的强感应体存储器。这种强感应体存储器，包括位线，与前述位线垂直配置的字线，以及配置在前述位线及前述字线间、包含强感应体电容器及与前述强感应体电容器串联连接的二极管的存储器单元。这样，在数据写入或读出时，如在非选择单元施加二极管中几乎无电流流动的范围的电压，在强感应体电容器上几乎没有电压。

公开(公告)号：CN1936855A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610154335.4

申请日：2006-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  松下重治 ,  冈田伸一郎

IPC: G06F11/14 ,  G06F11/16 ,  G06F12/16

Abstract: 一种即使在数据处理中电源断开也能可靠地防止数据丢失的控制装置。该控制装置具备：易失性存储器，其暂时存储装置中使用的数据；和非易失性存储器，其保持易失性存储器的数据，在发生向易失性存储器的写入时，将与写入到该易失性存储器的数据相同的数据也写入到非易失性存储器中。

公开(公告)号：CN1825475A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阀值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态时的阀值电压。

公开(公告)号：CN1520595A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN02808544.2

申请日：2002-04-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提出一种能在不选择单元中防止扰动的铁电存储器。该铁电存储器包括对存储单元加规定脉宽的脉冲的脉冲施加装置，在对铁电电容器加高压时引起充分的极化反转，而在对铁电电容器加低压时几乎不引起极化反转。至少在数据写或读操作中，该铁电存储器对选择的存储单元加具有上述规定脉宽的高压脉冲，并对不选择的存储单元加具有上述规定脉宽的低压脉冲。这样就对选择的存储单元执行读或写操作，而在不选择的存储单元中几乎不引起极化反转，从而能在不选择的存储单元里防止扰动。

公开(公告)号：CN1421869A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02154317.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治

IPC: G11C11/40 ,  G11C11/407

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 通过增大施加于选择单元的强介质电容器与非选择单元的强介质电容器的电压之比，获得可提高非选择单元中的抗干扰性的强介质存储器。这种强介质存储器具备包含存储单元，所述存储单元具备；位线；与位线垂直配置的字线；配置在位线及字线之间并对于正、负某一种电压施加方向都以几乎相同绝对值的门电压进行开通的开关元件；以及配置在位线及字线之间并与开关元件串联连接的强介质电容器。