公开(公告)号：CN100419909C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03121676.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治 ,  高野洋 ,  関根悟

IPC: G11C11/36

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供可提高非选择的存储器单元中的抗干扰性的强感应体存储器。这种强感应体存储器，包括位线，与前述位线垂直配置的字线，以及配置在前述位线及前述字线间、包含强感应体电容器及与前述强感应体电容器串联连接的二极管的存储器单元。这样，在数据写入或读出时，如在非选择单元施加二极管中几乎无电流流动的范围的电压，在强感应体电容器上几乎没有电压。

公开(公告)号：CN1445784A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03121676.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治 ,  高野洋 ,  関根悟

IPC: G11C11/36

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供可提高非选择的存储器单元中的抗干扰性的强感应体存储器。这种强感应体存储器，包括位线，与前述位线垂直配置的字线，以及配置在前述位线及前述字线间、包含强感应体电容器及与前述强感应体电容器串联连接的二极管的存储器单元。这样，在数据写入或读出时，如在非选择单元施加二极管中几乎无电流流动的范围的电压，在强感应体电容器上几乎没有电压。