公开(公告)号：CN1885547B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200610094023.9

申请日：2006-06-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/112

CPC classification number: H01L27/1021

Abstract: 本发明提供可以减小存储单元尺寸的存储器。该存储器具有：在p型硅基板(11)的主表面上形成，作为在存储单元(9)中包含的二极管(10)的阴极和字线(7)起作用的n型杂质区域(12)；在n型杂质区域(12)的表面隔开规定间隔地形成多个，且作为二极管(10)的阳极起作用的p型杂质区域(14)；在p型硅基板(11)上形成，与p型杂质区域(14)连接的位线(8)；和设置在位线(8)的上层，以每个规定间隔与n型杂质区域(12)连接的布线层(27)。

公开(公告)号：CN101488368B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200810246396.2

申请日：2008-11-05

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: G11C17/06 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种存储器，其构成为，在分别配置规定数量的位线的第一区段和第二区段，同时选择的第一区段的位线的以第一区段的端部为基准的位置和第二区段的位线的以第二区段的端部为基准的位置不同。

公开(公告)号：CN1969338A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019279.7

申请日：2005-06-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供一种能抑制非选择存储器单元的数据消失的干扰现象。该存储器具备存储器单元阵列(1)，其包括：位线；配置为与位线交叉的字线；连接在位线与字线之间的存储器单元(12)。而且，在该存储器中，通过对所选择的存储器单元(12)进行的包括读出动作、重新写入动作及写入动作的至少一个的存取动作，向存储器单元(12)施加第一电压脉冲和第二电压脉冲，其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场，第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场，并且对存储器单元(12)进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。

公开(公告)号：CN1877840A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200510104807.0

申请日：2005-09-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种可减小存储器单元大小的存储器。在该存储器中，第一选择晶体管的第一栅极电极和第二选择晶体管的第二栅极电极与字线一体化设置，并且，俯视看，在相对存储器单元的形成区域上第一杂质的延伸方向倾斜的方向上延伸的同时，与第一选择晶体管及第二选择晶体管的形成区域上第一杂质区域交叉地配置。

公开(公告)号：CN102163454A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010623088.4

申请日：2010-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林重人 ,  山田光一 ,  上田佳孝 ,  和田淳

IPC: G11C11/4074

CPC classification number: H02J1/08 ,  G06F1/26 ,  H03K19/0175 ,  H03L5/00 ,  Y10T307/50

Abstract: 本发明提供一种电源电路。电源电路(10a)根据可提供第一电源电压(V1)的第一电源和可提供比第一电源电压(V1)更低的第二电源电压(V2)的第二电源，生成内部电源电压(intVCC)。第一晶体管(TR1)设置在第一电源和输出节点(12)之间，第二晶体管(TR2)设置在第二电源和输出节点(12)之间。第一供给部(20)向第一晶体管(TR1)的栅极输入提供第一电源的输出电压或与第一电源的输出电压对应的电压的反相值。第二供给部(30)向第二晶体管(TR2)的栅极输入提供第一电源的输出电压或与第一电源的输出电压对应的电压。因此，可根据一个以上的电源有效地生成内部电源电压。

公开(公告)号：CN1822211B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610009230.X

申请日：2006-02-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 村山佳树 ,  山田光一

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004

Abstract: 本发明提供一种存储器。该存储器具备：连接在位线上，并保持数据的存储器单元；和基极连接在位线上的双极晶体管。而且，在数据的读出时，由双极晶体管来放大出现在位线上的与存储器单元的数据对应的电流，以读出数据。因此，能够抑制数据判断精度的降低。

公开(公告)号：CN100573875C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510104807.0

申请日：2005-09-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种可减小存储器单元大小的存储器。在该存储器中，第一选择晶体管的第一栅极电极和第二选择晶体管的第二栅极电极与字线一体化设置，并且，俯视看，在相对存储器单元的形成区域上第一杂质的延伸方向倾斜的方向上延伸的同时，与第一选择晶体管及第二选择晶体管的形成区域上第一杂质区域交叉地配置。

公开(公告)号：CN100550194C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阈值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态。

公开(公告)号：CN1825475A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阀值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态时的阀值电压。

公开(公告)号：CN1226747C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN01137875.1

申请日：2001-11-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种在防止放大器(读出放大器)构成变得复杂的同时能够高速读出的磁性存储装置。该磁性存储装置由显现强磁性隧道效应的，两个第1及第2存储元件、两个第1及第2晶体管构成存储单元的同时，并且利用放大器检测出与两个第1及第2存储元件连接的位线及反相位线的电位差。由此，能够容易地读出数据。又，如由显现强磁性隧道效应的1个存储元件与1个晶体管构成的存储单元的情况那样，不必检测出流过位线的微小的电流值。其结果是，放大器的构造不会变得复杂。又，由于不需采用结构复杂的放大器，故能高速地读出。