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公开(公告)号：CN1624934A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410012008.6
申请日：2004-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社 , 岐阜三洋电子株式会社
IPC: H01L29/80
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/4916
Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中，将主电流流动的主配线部24一端241的配线宽度W1设置成比主配线部24另一端242的配线宽度宽。主配线部24的配线宽度从一端241向另一端242逐渐变窄。由此，可降低位于主电流流动的电极焊盘部22近旁的单元和位于远方的单元的驱动电压差。其结果是，本发明可抑制主配线部24的电压下降，并实现元件内单元的均一动作。
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公开(公告)号：CN101533859B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910126539.0
申请日：2009-03-12
IPC: H01L29/861 , H01L29/04 , H01L29/12 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0619 , H01L29/402 , Y10S438/979
Abstract: 本发明涉及二极管。在半导体基板的第一主面设置有电导率调制型元件的pn结二极管中，若为缩短反向恢复时间(trr)而降低p型杂质区域的杂质浓度，则存在空穴的注入降低，某电流点的正向电压(VF)的值变高的问题。若导入用于降低反向恢复时间的寿命扼杀剂则存在漏电流增加等问题。在单晶硅层即n-型半导体层上设置p型多晶硅层。与单晶硅层相比，由于多晶硅层中晶界多，故可抑制施加正向电压时从p型多晶硅层注入到n-型半导体层的空穴量。也可通过形成p型多晶硅层时形成在n-型半导体层和p型多晶硅层之间的自然氧化膜来降低注入到n-型半导体层的空穴量。可以不使用寿命扼杀剂而缩短施加反向电压时抽出空穴所需时间即反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN101930976A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010209502.7
申请日：2010-06-21
IPC: H01L27/08 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种将Si-FRD的阳极和Si-SBD的阴极串联连接的半导体装置。在Si-FRD中存在释放被积累的电荷量Qrr为止的时间即反向恢复时间trr长的问题，要消除该问题，却存在正向电压VF增高的问题。Si-SBD作为器件本身的特性，反向恢复时间短，但要实现高击穿电压的器件，正向电压VF变得非常大。即无论是Si-FRD、Si-SBD，VF-trr特性都处于折中的关系。相对于此，SiC-SBD的正向电压VF低且反向恢复时间trr也短，因此能够改善VF-trr特性。但是SiC-SBD的价格非常贵。Si-SBD的结电容可累积的电荷量是Si-FRD在反向恢复时产生的电荷量的同等以上。Si-SBD与S-FRD相比，击穿电压变低。
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公开(公告)号：CN100502044C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610121206.5
申请日：2006-08-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/41766 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66712 , H01L29/66727
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极-源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极-漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极-源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。
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公开(公告)号：CN100372127C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410012008.6
申请日：2004-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社 , 岐阜三洋电子株式会社
IPC: H01L29/80
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/4916
Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中，将主电流流动的主配线部24一端241的配线宽度W1设置成比主配线部24另一端242的配线宽度宽。主配线部24的配线宽度从一端241向另一端242逐渐变窄。由此，可降低位于主电流流动的电极焊盘部22近旁的单元和位于远方的单元的驱动电压差。其结果是，本发明可抑制主配线部24的电压下降，并实现元件内单元的均一动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1428888A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02156979.7
申请日：2002-12-24
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田哲也
CPC classification number: G01R31/361 , G01R31/3648 , G01R31/3662
Abstract: 一种可准确计算放电容量并由此高精度地计算剩余容量的电池剩余容量的运算方法，是利用电池的放电电流和电压之积的累计值计算电池的放电容量并用电能计算剩余容量。剩余容量运算方法是先检测电池的内部电阻，再在利用电池的放电电流和电压之积的累计值计算的放电容量运算值上加上内部电阻消耗的电能的累计值，来计算电池的放电容量，再由该放电容量计算剩余容量。组合电池具备利用电池的放电电流和电压之积的累计值计算电池的放电容量并用电能计算剩余容量的运算电路2。运算电路2在检测电池的内部电阻的同时，在利用电池的放电电流和电压之积的累计值计算的放电容量运算值上加上内部电阻消耗的电能的累计值，来计算电池的放电容量，再由该放电容量计算剩余容量。
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公开(公告)号：CN101930976B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010209502.7
申请日：2010-06-21
IPC: H01L27/08 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种将Si-FRD的阳极和Si-SBD的阴极串联连接的半导体装置。在Si-FRD中存在释放被积累的电荷量Qrr为止的时间即反向恢复时间trr长的问题，要消除该问题，却存在正向电压VF增高的问题。Si-SBD作为器件本身的特性，反向恢复时间短，但要实现高击穿电压的器件，正向电压VF变得非常大。即无论是Si-FRD、Si-SBD，VF-trr特性都处于折中的关系。相对于此，SiC-SBD的正向电压VF低且反向恢复时间trr也短，因此能够改善VF-trr特性。但是SiC-SBD的价格非常贵。Si-SBD的结电容可累积的电荷量是Si-FRD在反向恢复时产生的电荷量的同等以上。Si-SBD与S-FRD相比，击穿电压变低。
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公开(公告)号：CN100576565C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610106399.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/49107 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01074 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。目前，使1层金属电极层与元件区域接触，在该金属电极层上固着接合引线。要降低装置的接通电阻，期望加厚金属电极层的膜厚，但图案形成的精度有限。另外，当采用Au细线作接合引线时，随时间的推移，形成Au/Al共晶层，出现元件区域的层间绝缘膜给以压力的问题。金属电极层为2层。第一电极层如目前以与元件区域吻合的微细的间隔距离形成图案。另一方面，第二电极层只要与第一电极层接触即可，即使间隔距离加宽也没有问题。即，可以使第二电极层形成所希望的膜厚。另外，通过在引线接合区域下方的第一电极层上配置氮化膜，从而即使因Au/Al共晶层引起体积膨胀的情况下，也可以防止其应力传递到元件区域。
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公开(公告)号：CN101399286A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161790.6
申请日：2008-09-26
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。以往，在超结结构的半导体装置中，元件区域端部的耗尽层的曲率较大，所以确保较宽的终端区域，并通过在终端区域反复设置p型半导体层和n型半导体层等，使耗尽层向衬底水平方向扩展，从而防止耗尽层端部的内部电场集中。但存在终端区域的宽度大、芯片尺寸增大的问题。本发明在具有超结结构的半导体区域的端部设置包围元件区域的绝缘区域。由于元件区域的耗尽层在绝缘区域终止，所以元件区域的端部不是曲面形状。即，在耗尽层中不存在内部电场集中的曲面，所以不需要设置终端区域来促进耗尽层向水平方向扩展的措施。由于不需要终端区域，所以可实现芯片尺寸的小型化。或者，能够扩大元件区域的面积。
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公开(公告)号：CN101276845A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086547.2
申请日：2008-03-20
IPC: H01L29/861 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0692 , H01L29/417 , H01L29/8611
Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板的第一主面上设置电导率调制型元件的半导体装置(如pn结二极管)中，为缩短反向回复时间，若降低p型杂质区域的杂质浓度，则产生空穴的注入减少，某一电流点的正向电压值增大的问题。本发明中，使第二电极与半导体基板选择性接触。即在半导体基板的第二主面上设置具有开口部的绝缘膜，在绝缘膜上设置第二电极。第二电极经开口部与半导体基板的第二主面接触。使开口部总面积约为半导体基板第二主面总面积的二分之一。由此，由于绝缘膜少数载流子(空穴)的脱离被阻止，在第二电极附近减少少数载流子的消失。故由于电导率调制效果提高，为了缩短反向回复时间而降低p型杂质区域的杂质浓度的结构也可以降低正向电压。
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