公开(公告)号：CN101930976A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010209502.7

申请日：2010-06-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 三好诚二 ,  冈田哲也 ,  有本志峰

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种将Si-FRD的阳极和Si-SBD的阴极串联连接的半导体装置。在Si-FRD中存在释放被积累的电荷量Qrr为止的时间即反向恢复时间trr长的问题，要消除该问题，却存在正向电压VF增高的问题。Si-SBD作为器件本身的特性，反向恢复时间短，但要实现高击穿电压的器件，正向电压VF变得非常大。即无论是Si-FRD、Si-SBD，VF-trr特性都处于折中的关系。相对于此，SiC-SBD的正向电压VF低且反向恢复时间trr也短，因此能够改善VF-trr特性。但是SiC-SBD的价格非常贵。Si-SBD的结电容可累积的电荷量是Si-FRD在反向恢复时产生的电荷量的同等以上。Si-SBD与S-FRD相比，击穿电压变低。

公开(公告)号：CN101930976B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010209502.7

申请日：2010-06-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 三好诚二 ,  冈田哲也 ,  有本志峰

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种将Si-FRD的阳极和Si-SBD的阴极串联连接的半导体装置。在Si-FRD中存在释放被积累的电荷量Qrr为止的时间即反向恢复时间trr长的问题，要消除该问题，却存在正向电压VF增高的问题。Si-SBD作为器件本身的特性，反向恢复时间短，但要实现高击穿电压的器件，正向电压VF变得非常大。即无论是Si-FRD、Si-SBD，VF-trr特性都处于折中的关系。相对于此，SiC-SBD的正向电压VF低且反向恢复时间trr也短，因此能够改善VF-trr特性。但是SiC-SBD的价格非常贵。Si-SBD的结电容可累积的电荷量是Si-FRD在反向恢复时产生的电荷量的同等以上。Si-SBD与S-FRD相比，击穿电压变低。