公开(公告)号：CN101414553B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810165776.3

申请日：2008-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/761 ,  H01L21/764 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片及其制造方法。以往超结结构晶片的制造方法需要沿半导体晶片的厚度方向多阶段地形成外延层的工序和离子注入工序，工序数量多。pn接合面呈波形，耗尽层难以均匀扩展。在利用倾斜离子注入形成一部分柱状半导体层的方法中，为了使杂质分布在晶片垂直方向上均匀，需要向沟槽下方也注入，存在无效区域增多的问题。本发明在半导体衬底上至少交替进行三次以上n型外延层的形成和蚀刻以及p型外延层的形成和蚀刻，从而用外延层形成所有半导体层。能将各半导体层的宽度形成得较窄，故在要求的耐压相同时，可提高各半导体层的杂质浓度，降低晶片的电阻值。通过最后在残留的空间部中埋入绝缘层，能避免在外延层的接合面产生不良。

公开(公告)号：CN101388336A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215390.9

申请日：2008-09-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/26586

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法。现有的超结结构晶片的制造方法中，需要在半导体晶片的厚度方向上多阶段形成外延层的工序和离子注入工序，工序数量多。而且，pn接合面呈波形，存在耗尽层难以均匀扩展的问题。另一方面，如果采用通过倾斜离子注入而形成一部分柱状半导体层的方法，则难以配置大量的超结结构。根据本发明的制造方法，在半导体衬底上，至少交替进行三次以上n型外延层的形成和蚀刻以及p型外延层的形成和蚀刻，从而利用外延层形成所有半导体层。由此，能够使得各半导体层的杂质浓度曲线均匀，能垂直于晶片表面形成pn接合面。并且，由于能够将各半导体层的宽度形成得较窄，故因杂质浓度提高，从而能够实现高耐压和低电阻。

公开(公告)号：CN1941413A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610121206.5

申请日：2006-08-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 栉山和成 ,  冈田哲也 ,  及川慎 ,  石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极－源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极－漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极－源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。