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公开(公告)号：CN113381190B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110524117.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于将IoT技术与5G通信系统进行融合以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或互联汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保与安全服务等)。根据本公开的一种天线模块包括：第一基板层，其包括至少一个堆叠的基板；天线，其耦接到第一基板层的顶表面；第二基板层，其顶表面耦接到第一基板层的底表面，并且包括至少一个堆叠的基板；以及射频(RF)元件，其耦接到第二基板层的底表面。
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公开(公告)号：CN109843578B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201780063218.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的各种实施方式的窗户产品包括：窗户和由至少一种绝缘材料制成并粘合至所述窗户的一个表面的薄膜，其中构成所述薄膜的绝缘材料的介电常数低于所述窗户的介电常数且高于空气的介电常数，以及所述薄膜可以是当附着至所述窗户时用于减少所述窗户中的无线电波的传输损耗的薄膜。其他各种实施方式也是可能的。
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公开(公告)号：CN112713208A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010679051.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号：CN111816997A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010281329.5
申请日：2020-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及通信方法和系统，其对支持超过第四代(4G)系统数据速率的更高的数据速率的第五代(5G)通信系统与物联网(IoT)技术进行融合。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务，例如智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全和安全服务。本公开涉及天线模块及包括天线模块的电子设备。在各种实施例中，天线模块包括：堆叠有至少一层的第一印刷电路板(PCB)、设置在第一PCB的上表面之上且堆叠有至少一层的第二PCB。天线模块还包括：无线通信芯片，其设置在第二PCB的上表面之上并且控制用于射频的电信号；第一结构，其设置在第一PCB的上表面上并围绕第一PCB的上表面；第一天线，其设置在第一结构的内表面上以面对第一PCB；以及馈电线，其电连接第一天线和无线通信芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108731806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01J3/021 , F21V7/22 , G01J3/0224 , G01J3/1804 , G01J3/26 , G01J2003/1861 , G02B5/1809 , G02B5/1866 , G02B5/20 , G02B5/203 , G02B27/4272 , G01J3/2803 , G01J3/0229 , G01J3/0243 , G01J3/0259
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
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公开(公告)号：CN103094334A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210215829.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/42364 , H01L29/49 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
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公开(公告)号：CN120019545A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072214.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC: H01Q3/44 , H04B7/0408 , H01Q1/38 , H01Q9/28 , H01Q15/00
Abstract: 在实施例中，电子设备可以包括存储器、包括多个单元的频率选择表面(FSS)和至少一个处理器。多个单元中的每一个可以包括液晶层。至少一个处理器可以被配置为基于FSS从另一电子设备接收信号。至少一个处理器可以被配置为基于与另一电子设备有关的第一图案信息和与接收的信号有关的第二图案信息之间的差异来确定FSS的多个单元中的每一个的折射信息。至少一个处理器可以被配置为基于FSS的多个单元中的每个单元的折射信息来执行FSS的重新配置。至少一个处理器可以被配置为基于重新配置的FSS从另一电子设备获取重构信号。
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公开(公告)号：CN119054153A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380035141.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据实施例的电子设备可以包括天线基板和包括子阵列的天线阵列，其中子阵列可以包括多个天线元件。电子设备可以包括：馈送网络电路，其包括用于第一极化的第一功率分配器和用于第二极化的第二功率分配器，第二极化不同于第一极化；以及网络电路，用于将所述第一功率分配器的第一信号和所述第二功率分配器的第二信号解耦。子阵列可以设置在天线基板的第一表面上。馈送网络电路可以设置在天线基板的第一表面上或设置在与第一表面相对的第二表面上。
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公开(公告)号：CN118251802A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280070536.3
申请日：2022-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于支持超过诸如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统的更高数据传输速率的第五代(5G)或准5G通信系统。一种天线配件，根据本公开的实施例，可包括天线配件，所述天线配件包括：用于多个第一天线的第一柔性印刷电路板(FPCB)；用于多个第二天线的第二FPCB；包括多个孔的金属板；用于在金属板与第一FPCB之间提供接合的第一粘合材料层；以及用于在金属板与第二FPCB之间提供接合的第二粘合材料层，其中，金属板被布置为使得多个第一天线位于相应的多个孔中，并且多个第二天线位于相应的多个孔中。
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