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公开(公告)号：CN120019545A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072214.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC: H01Q3/44 , H04B7/0408 , H01Q1/38 , H01Q9/28 , H01Q15/00
Abstract: 在实施例中，电子设备可以包括存储器、包括多个单元的频率选择表面(FSS)和至少一个处理器。多个单元中的每一个可以包括液晶层。至少一个处理器可以被配置为基于FSS从另一电子设备接收信号。至少一个处理器可以被配置为基于与另一电子设备有关的第一图案信息和与接收的信号有关的第二图案信息之间的差异来确定FSS的多个单元中的每一个的折射信息。至少一个处理器可以被配置为基于FSS的多个单元中的每个单元的折射信息来执行FSS的重新配置。至少一个处理器可以被配置为基于重新配置的FSS从另一电子设备获取重构信号。
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公开(公告)号：CN111466055A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201880079882.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及一种利用IoT技术融合5G通信系统以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。此外，本发明提供一种天线模块，包括：第一板，其形成该天线模块的上表面并在一个侧表面上具有第一开口表面；第二板，其形成该天线模块的侧表面，以与该第一板接触的形式与该第一板形成第一角度，并在一个侧表面上具有第二开口表面以延伸第一开口表面；以及供电单元，其具有电连接到该第一板的一个表面，并且设置在该第一开口表面或该第二开口表面上。
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公开(公告)号：CN111466055B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201880079882.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及一种利用IoT技术融合5G通信系统以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。此外，本发明提供一种天线模块，包括：第一板，其形成该天线模块的上表面并在一个侧表面上具有第一开口表面；第二板，其形成该天线模块的侧表面，以与该第一板接触的形式与该第一板形成第一角度，并在一个侧表面上具有第二开口表面以延伸第一开口表面；以及供电单元，其具有电连接到该第一板的一个表面，并且设置在该第一开口表面或该第二开口表面上。
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公开(公告)号：CN111600113B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010106288.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于将用于支持超过第四代(4G)系统的更高的数据速率的第五代(5G)通信系统与物联网(IoT)技术相融合的无线通信系统的天线模块和包括该天线模块的电子设备。本公开可以被应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、连网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全性和安全服务。该天线模块包括：柔性印刷电路板，其包括定向在第一方向上的第一表面和定向在第二方向上的第二表面，该第二方向相对于第一方向形成预定第一角度；第一天线，该第一天线被部署在第一表面的一个表面上；以及第二天线，该第二天线被部署在第二表面的一个表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713208B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010679051.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号：CN111630720A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009202.3
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及：一种用于将IoT技术与5G通信系统融合以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。本发明提供一种天线模块，其包括至少一个天线阵列，其中该天线阵列包括：第一绝缘体，其具有板形状并且具有形成在其上以允许电信号的流动的导电图案；第一辐射器，其设置为使得其下端面与第一绝缘体的上端面间隔开预定的第一长度；第二辐射器，其在其上设置有第一辐射器的水平面上与第一辐射器间隔开预定的第二长度；至少一个馈送器单元，其电连接到导电图案以将电信号供应到第一辐射器和第二辐射器；以及第二绝缘体，其设置在第一绝缘体的上端面上，以固定所述至少一个馈送器单元，使得所述至少一个馈送器单元与在其上布置有第一辐射器和第二辐射器的水平面的下端面间隔开预定的第三长度。
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公开(公告)号：CN109843578A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780063218.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的各种实施方式的窗户产品包括：窗户和由至少一种绝缘材料制成并粘合至所述窗户的一个表面的薄膜，其中构成所述薄膜的绝缘材料的介电常数低于所述窗户的介电常数且高于空气的介电常数，以及所述薄膜可以是当附着至所述窗户时用于减少所述窗户中的无线电波的传输损耗的薄膜。其他各种实施方式也是可能的。
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公开(公告)号：CN103094334B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201210215829.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/42364 , H01L29/49 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
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