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公开(公告)号：CN103094334A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210215829.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/42364 , H01L29/49 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106165157B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480071594.3
申请日：2014-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料的制造方法和锂二次电池，并且提供锂二次电池负极活性材料的制造方法，其是通过在干或湿条件下机械磨碎或粉碎粒状硅制造的，所述粒状硅为通过结晶的和非晶的一次Si颗粒附聚形成的二次颗粒状态。
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公开(公告)号：CN103094334B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201210215829.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/42364 , H01L29/49 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
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公开(公告)号：CN105594026A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480039169.6
申请日：2014-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料、包括其的用于负极的组合物和锂二次电池。根据本发明，通过使用非晶硅一次粒子和硅二次粒子(具有附聚的结晶硅一次粒子)作为负极活性材料，附聚的二次粒子的结构性质和内部空隙部分用作用于粒子之间的体积变化的缓冲物，以降低在充电和放电期间活性材料的体积膨胀。因而，可防止硅粒子的非分化，并且结果，即使当实施充电和放电循环时容量也得以保持，以大大改善循环寿命性质。
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公开(公告)号：CN105594026B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201480039169.6
申请日：2014-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料、包括其的用于负极的组合物和锂二次电池。根据本发明，通过使用非晶硅一次粒子和硅二次粒子(具有附聚的结晶硅一次粒子)作为负极活性材料，附聚的二次粒子的结构性质和内部空隙部分用作用于粒子之间的体积变化的缓冲物，以降低在充电和放电期间活性材料的体积膨胀。因而，可防止硅粒子的非分化，并且结果，即使当实施充电和放电循环时容量也得以保持，以大大改善循环寿命性质。
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公开(公告)号：CN106165157A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480071594.3
申请日：2014-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料的制造方法和锂二次电池，并且提供锂二次电池负极活性材料的制造方法，其是通过在干或湿条件下机械磨碎或粉碎粒状硅制造的，所述粒状硅为通过结晶的和非晶的一次Si颗粒附聚形成的二次颗粒状态。
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