公开(公告)号：CN116453970A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310024420.2

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台宪 ,  金坰显 ,  文彰燮 ,  梁准烈 ,  丁相勳 ,  丁镛植 ,  蔡昇澈

IPC: H01L21/67 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。所述湿蚀刻方法包括：将包括蚀刻目标膜的结构提供到容纳具有第一磷酸浓度的第一蚀刻溶液的处理浴槽中；在处理浴槽中用第一蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第一蚀刻工艺；通过改变第一蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度不同的第二磷酸浓度的第二蚀刻溶液；在处理浴槽中用第二蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第二蚀刻工艺；通过改变第二蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度和第二磷酸浓度不同的第三磷酸浓度的第三蚀刻溶液；以及在处理浴槽中用第三蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第三蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN112542467A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010984502.8

申请日：2020-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相勋 ,  洪祥准 ,  沈善一 ,  金坰显 ,  文彰燮

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上的水平电极、以及在水平电极之间的水平绝缘层。该半导体存储器件还可以包括穿透堆叠结构的垂直结构，垂直结构中的第一垂直结构在单元阵列区域上，并且垂直结构中的第二垂直结构在延伸区域上。每个垂直结构包括沟道层以及依次堆叠在沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。第一垂直结构的电荷存储层包括电荷存储图案，电荷存储图案在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且水平绝缘层插置在其间。第二垂直结构的电荷存储层沿着水平电极的侧壁和水平绝缘层的侧壁延伸。

公开(公告)号：CN102142442B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201010611021.9

申请日：2010-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔锡宪 ,  裵起浩 ,  洪义官 ,  金坰显 ,  金泰贤 ,  南坰兑 ,  郑峻昊

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8229 ,  H01L45/00 ,  H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102142442A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010611021.9

申请日：2010-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔锡宪 ,  裵起浩 ,  洪义官 ,  金坰显 ,  金泰贤 ,  南坰兑 ,  郑峻昊

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8229 ,  H01L45/00 ,  H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1881531A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610093739.7

申请日：2006-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴哲佑 ,  高镛璿 ,  尹炳文 ,  金坰显 ,  李光旭 ,  柳昌吉 ,  河成昊 ,  宋寓锡 ,  田溶明 ,  朴昇栗

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。

公开(公告)号：CN1452218A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03108456.7

申请日：2003-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  尹炳文 ,  金坰显 ,  河商录 ,  南廷林 ,  赵显镐

IPC: H01L21/302 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。