公开(公告)号：CN101114585A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610172718.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。

公开(公告)号：CN101064258A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610126325.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  李准浩 ,  林赫 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/36 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。

公开(公告)号：CN1753156A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510081936.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  郑智心

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅；在衬底上通过对该非晶硅构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与漏极之间的多个沟道的区域；对沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN107026237B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201710044340.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成 ,  金奎植 ,  金南定 ,  金成宪 ,  金容诚 ,  曹恩爱 ,  卢卓均 ,  尹桐振 ,  金瑢洙 ,  鲜于文旭 ,  朴用永 ,  朴敬培

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0

公开(公告)号：CN107026237A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710044340.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成 ,  金奎植 ,  金南定 ,  金成宪 ,  金容诚 ,  曹恩爱 ,  卢卓均 ,  尹桐振 ,  金瑢洙 ,  鲜于文旭 ,  朴用永 ,  朴敬培

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/301 ,  H01L51/42 ,  H01L51/441 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549 ,  H01L51/44

Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0

公开(公告)号：CN103094334A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210215829.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  鲜于文旭 ,  文彰烈 ,  朴用永 ,  梁佑荣 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。

公开(公告)号：CN101494220B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200910003249.7

申请日：2009-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  李明宰 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦 ,  金起焕

IPC: H01L27/02 ,  H01L45/00 ,  H01L21/77 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。

公开(公告)号：CN101315942A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：CN101217157A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001510.5

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  李正贤 ,  裴炯轸 ,  朴永洙

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种包含多晶硅(poly－Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaNx材料层以及形成在TaNx材料层上的poly－Si层。可通过如下步骤来制造包含poly－Si的半导体器件：形成TaNx材料层；通过在TaNx材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成poly－Si层。

公开(公告)号：CN101086969A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710088997.0

申请日：2007-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281

Abstract: 本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。