公开(公告)号：CN105699700A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510917174.9

申请日：2015-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权映男 ,  朴成俊 ,  白云仲 ,  金成宪 ,  安宰玟 ,  尹桐振

IPC: G01Q60/02 ,  G01Q60/24

CPC classification number: G01Q20/02 ,  C12N11/06 ,  C12Q1/10 ,  G01N33/54373 ,  G01Q60/42 ,  G01Q70/06 ,  G01Q60/02 ,  G01Q60/24

Abstract: 提供用于使用包含细胞附着性探针的扫描探针显微镜分析样品表面的方法和用于该方法的扫描探针显微镜。

公开(公告)号：CN107026237B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201710044340.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成 ,  金奎植 ,  金南定 ,  金成宪 ,  金容诚 ,  曹恩爱 ,  卢卓均 ,  尹桐振 ,  金瑢洙 ,  鲜于文旭 ,  朴用永 ,  朴敬培

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0

公开(公告)号：CN105845842B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201610020737.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹桐振 ,  朴成熏 ,  金成宪 ,  李香淑 ,  白云仲 ,  权映男 ,  金瑢洙 ,  郑在官

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。

公开(公告)号：CN107026237A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710044340.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成 ,  金奎植 ,  金南定 ,  金成宪 ,  金容诚 ,  曹恩爱 ,  卢卓均 ,  尹桐振 ,  金瑢洙 ,  鲜于文旭 ,  朴用永 ,  朴敬培

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/301 ,  H01L51/42 ,  H01L51/441 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549 ,  H01L51/44

Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0

公开(公告)号：CN105845842A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610020737.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹桐振 ,  朴成熏 ,  金成宪 ,  李香淑 ,  白云仲 ,  权映男 ,  金瑢洙 ,  郑在官

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。