公开(公告)号：CN102298970B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110043409.8

申请日：2011-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英培 ,  李昌范 ,  李东洙 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  张晚 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。

公开(公告)号：CN102832337A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210113464.4

申请日：2012-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  金昌桢 ,  金英培 ,  李明宰 ,  李东洙 ,  张晚 ,  李承烈 ,  金京旻

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C11/5685 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。

公开(公告)号：CN101494220B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200910003249.7

申请日：2009-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  李明宰 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦 ,  金起焕

IPC: H01L27/02 ,  H01L45/00 ,  H01L21/77 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。

公开(公告)号：CN102568582A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110390449.X

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张晚 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  李昌范 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0073

Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。

公开(公告)号：CN102298970A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110043409.8

申请日：2011-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英培 ,  李昌范 ,  李东洙 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  张晚 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。

公开(公告)号：CN101315942A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：CN110994357B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201910288119.6

申请日：2019-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  申昶均 ,  崔秉龙

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  G01S17/93

Abstract: 公开了一种可变波长光源和包括可变波长光源的装置。可变波长光源包括：第一波导；第二波导，与第一波导间隔开；第一光学放大器，包括第一增益介质；第二光学放大器，包括与第一增益介质不同的第二增益介质。

公开(公告)号：CN109426010B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810965058.8

申请日：2018-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴晶铉 ,  崔秉龙

IPC: G02F1/01 ,  G02B1/00

Abstract: 提供了光调制器件和包括其的电子装置。该光调制器件包括：金属层；可变电阻材料层，在金属层上方并具有取决于施加到其的电压的多个电阻状态；以及超表面层，在可变电阻材料层上方并包括纳米结构，该纳米结构包括导电材料并具有亚波长尺寸。

公开(公告)号：CN106918927B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201611165925.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  金善日 ,  申昶均 ,  金桢佑 ,  李昌范

IPC: G02F1/01

Abstract: 本公开提供包括介质天线的光调制器件以及光学装置。一种光调制器件包括介质天线和折射率可变层，该折射率可变层面对介质天线并包括具有根据信号而变化的折射率的材料。由于介质天线的共振特性根据折射率可变层的折射率变化来控制，所以光可以被调制。

公开(公告)号：CN110071422A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910046740.1

申请日：2019-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东宰 ,  金圣九 ,  申庸确 ,  申昶均 ,  沈东植 ,  李昌范 ,  车正浩 ,  河镜虎

IPC: H01S5/00 ,  G01S17/32 ,  G01S17/02

Abstract: 光束转向装置可以包括配置为发射激光束的可调谐激光二极管以及天线，天线包括光栅结构并且配置为基于光栅结构将激光束转换为线性光源。可调谐激光二极管可以发射具有第一波长的第一激光束，并且发射具有第二波长的第二激光束，第二波长不同于第一波长。天线可以接收第一激光束，并且作为响应，输出相对于天线的表面具有第一发射角的第一线性光源。天线还可以接收第二激光束，并且作为响应，输出相对于天线的表面具有第二发射角的第二线性光源，第二发射角不同于第一发射角。