公开(公告)号：CN111192955B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201910850336.X

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  吴世忠 ,  皮雄焕

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括：第一导线，在基板上沿第一方向延伸；第一磁图案，在所述第一导线上，所述第一磁图案包括具有不同厚度的第一部分和第二部分；以及第二导电线，在第一磁图案上，并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN119156018A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410056031.2

申请日：2024-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷穆 ,  金柱显 ,  吴世忠 ,  郑峻昊

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 一种存储器件包括：参考磁图案和自由磁图案，所述参考磁图案和所述自由磁图案顺序堆叠在衬底上；以及隧道势垒图案，所述隧道势垒图案位于参考磁图案和自由磁图案之间，其中，参考磁图案包括：第一钉扎图案；第二钉扎图案，所述第二钉扎图案位于第一钉扎图案和隧道势垒图案之间；以及交换耦合图案，所述交换耦合图案位于第一钉扎图案和第二钉扎图案之间，交换耦合图案将第一钉扎图案和第二钉扎图案反铁磁耦合，其中，第一钉扎图案包括：第一磁图案；以及第二磁图案，所述第二磁图案位于第一磁图案和交换耦合图案之间，第一磁图案是包括第一铁磁元素和第一非磁性金属元素的合金的单层，并且其中，第二磁图案是包括第二铁磁元素的单层。

公开(公告)号：CN109786547B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201811323498.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正敏 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  李同规 ,  洪京一

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或‑8大于约10 托的高真空状态。

公开(公告)号：CN111223985A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911099462.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  金晥均

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。

公开(公告)号：CN109755269A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811066768.3

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正桓 ,  金柱显 ,  吴世忠 ,  李同规 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H01L27/22 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/12 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：在衬底上的金属互连层；层间绝缘层，其在金属互连层上并限定用于暴露金属互连层的一部分的接触孔；阻挡金属层，其包括在接触孔内的多个子阻挡金属层；插塞金属层，其在阻挡金属层上并掩埋接触孔；以及可变电阻结构，其在阻挡金属层和插塞金属层上。

公开(公告)号：CN111223985B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201911099462.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  金晥均

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。

公开(公告)号：CN111312745A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN111192955A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910850336.X

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  吴世忠 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括：第一导线，在基板上沿第一方向延伸；第一磁图案，在所述第一导线上，所述第一磁图案包括具有不同厚度的第一部分和第二部分；以及第二导电线，在第一磁图案上，并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN109560191A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811060554.5

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  张荣万

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

公开(公告)号：CN107611256A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710056924.7

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金起园 ,  吴世忠 ,  朴容星 ,  金柱显

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁器件包括自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在自由层和钉扎层之间；极化增强层，设置在隧道势垒和钉扎层之间；以及阻挡层，设置在极化增强层和钉扎层之间，其中阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。