公开(公告)号：CN119277953A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410545358.6

申请日：2024-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金廷穆 ,  金憻泳 ,  申喜珠 ,  赵泳俊

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁性存储器件包括：堆叠在衬底上的参考磁性图案和自由磁性图案；在参考磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案；在自由磁性图案上的第一非磁性图案，自由磁性图案在隧道势垒图案和第一非磁性图案之间；在第一非磁性图案上的第二非磁性图案，第一非磁性图案在自由磁性图案和第二非磁性图案之间；在第一非磁性图案和第二非磁性图案之间的金属图案；以及在第一非磁性图案的侧表面上的导电层。

公开(公告)号：CN119156018A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410056031.2

申请日：2024-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷穆 ,  金柱显 ,  吴世忠 ,  郑峻昊

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 一种存储器件包括：参考磁图案和自由磁图案，所述参考磁图案和所述自由磁图案顺序堆叠在衬底上；以及隧道势垒图案，所述隧道势垒图案位于参考磁图案和自由磁图案之间，其中，参考磁图案包括：第一钉扎图案；第二钉扎图案，所述第二钉扎图案位于第一钉扎图案和隧道势垒图案之间；以及交换耦合图案，所述交换耦合图案位于第一钉扎图案和第二钉扎图案之间，交换耦合图案将第一钉扎图案和第二钉扎图案反铁磁耦合，其中，第一钉扎图案包括：第一磁图案；以及第二磁图案，所述第二磁图案位于第一磁图案和交换耦合图案之间，第一磁图案是包括第一铁磁元素和第一非磁性金属元素的合金的单层，并且其中，第二磁图案是包括第二铁磁元素的单层。