公开(公告)号：CN115547996A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210376678.4

申请日：2022-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉庆 ,  金度贤 ,  成载圭

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装，包括：封装基板，包括第一接合焊盘和第二接合焊盘、与第一接合焊盘间隔开的第三接合焊盘、以及与第二接合焊盘间隔开的第四接合焊盘；第一芯片堆叠，包括在封装基板上堆叠的第一芯片，每个第一芯片包括交替布置的第一信号焊盘和第一电源/接地焊盘；第二芯片堆叠，包括在第一芯片堆叠上堆叠的第二芯片，每个第二芯片包括交替布置的第二信号焊盘和第二电源/接地焊盘；第一下导线，其将所述第一信号焊盘连接到第一接合焊盘；第二下导线，其将所述第一电源/接地焊盘连接到第二接合焊盘；第一上导线，其将第二芯片的第二信号焊盘连接到第三接合焊盘；以及第二上导线，将第二芯片的第二电源/接地焊盘连接到第四接合焊盘。

公开(公告)号：CN118401957A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082753.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  朴俊勇

IPC: G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  G06T11/20 ,  G06F3/0481

Abstract: 公开了一种电子装置。所述电子装置可以包括：第一处理器，所述第一处理器基于图形数据执行渲染阶段以生成帧；存储器，所述存储器中存储用于获取与所述第一处理器对应的信息的应用；显示器；以及第二处理器，所述第二处理器电连接到所述第一处理器、所述存储器和所述显示器。第二处理器可以：运行应用；通过所运行的应用获取与所述帧对应的渲染阶段信息；从所获取的渲染阶段信息中提取与所述帧当中的第一帧对应的第一渲染阶段信息；处理所提取的第一渲染阶段信息；以及控制所述显示器显示包含经处理的第一渲染阶段信息的UI画面。

公开(公告)号：CN102169904A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110008745.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金己园 ,  尹甲洙 ,  金度贤 ,  李贤贞

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种显示基板。该显示基板包括：设置在基板上的栅互连；设置在该栅互连上且包括氧化物半导体的氧化物半导体图案；以及设置在该氧化物半导体图案上的数据互连。该氧化物半导体图案包括：具有第一氧化物和第一元素的第一氧化物半导体图案；以及具有第二氧化物的第二氧化物半导体图案。

公开(公告)号：CN102916016A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210272796.7

申请日：2012-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  姜闰浩 ,  李东勋 ,  朴常镐 ,  柳世桓 ,  金澈圭 ,  李镕守 ,  赵圣行 ,  张宗燮 ,  金东朝 ,  李政奎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层；设置在栅极布线层上的氧化物半导体层；以及设置在氧化物半导体层上的数据布线层，其中数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在主布线层上且包含铜合金的盖层。

公开(公告)号：CN101325202A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710161109.3

申请日：2007-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所公开的薄膜晶体管阵列面板包括绝缘衬底、形成在绝缘衬底上的包括氧化物的沟道层。栅极绝缘层形成在沟道层上，栅电极形成在栅极绝缘层上。层间绝缘层形成在栅电极上，数据线形成在层间绝缘层上且包括源电极，其中数据线由第一导电层和第二导电层制成。漏电极形成在层间绝缘层上，且包括第一导电层和第二导电层。像素电极从漏电极的第一导电层延伸，钝化层形成在数据线和漏电极上。隔离片形成在钝化层上。

公开(公告)号：CN101132011A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710152639.1

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  李殷国 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及一种阵列基板，包括开关元件、信号传输线、钝化层和像素电极。开关元件设置在绝缘基板上。信号传输线连接到开关元件，并包括阻挡层、导电线和氮化铜层。阻挡层设置在绝缘基板上。导电线设置在阻挡层上，并且包括铜或者铜合金。氮化铜层覆盖导电线。钝化层覆盖开关元件和信号传输线并具有接触孔，通过该接触孔部分地露出开关元件的漏电极。像素电极设置在绝缘基板上，并通过接触孔连接到开关元件的漏电极。本发明还涉及具有阵列基板的显示器件以及制造阵列基板的方法。