-
公开(公告)号：CN101499451A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910001802.3
申请日：2009-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , G06K19/077 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/3452 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/48 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/111 , H05K2201/09381 , H05K2201/0989 , H05K2201/099 , Y02P70/611 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种使用高容量半导体芯片的封装来提供高的可靠性的印刷电路板、半导体封装件以及使用该半导体封装件的卡装置和系统。该半导体封装件包括：基板，具有第一表面和第二表面；半导体芯片，安装在基板的第一表面上；至少一个焊盘，设置在基板的第二表面上，至少一个焊盘的周边包括多条第一组弧；掩模层，覆盖基板的第二表面，并包括暴露至少一个焊盘的至少一个开口；至少一个外部端子，设置在至少一个焊盘上，其中，至少一个焊盘的一部分被掩模层覆盖，至少一个焊盘的另一部分的侧壁被至少一个开口暴露，至少一个开口的周边包括多条第二组弧，多条第一组弧中的最外面的弧的半径等于多条第二组弧中的最外面的弧的半径。
-
公开(公告)号：CN110190109B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910039205.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学研究与商业基金会
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。
-
公开(公告)号：CN114637701A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111069031.9
申请日：2021-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于将数据写入保护区域的系统、设备和方法。一种存储设备被配置为与主机通信，该存储设备包括：包括保护区域的存储器；以及控制器，该控制器被配置为向主机提供包括第一设备消息认证码和第一设备消息的第一响应，从主机接收第一写入请求，该第一写入请求包括第一主机消息认证码和第一主机消息，基于第一设备消息认证码和第一主机消息来生成第一消息验证码，基于第一主机消息认证码和第一消息验证码验证第一写入请求，以及当第一写入请求的验证成功时，将第一写入请求中包括的数据写入保护区域。
-
公开(公告)号：CN109495442A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811061910.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了利用树结构验证完整性的方法和装置。一种验证包括集线器装置和多个端节点装置的物联网(IoT)系统的完整性的方法包括：通过集线器装置确定所述多个端节点装置中的根装置；通过集线器装置从根装置接收基于验证根装置的子树的完整性的结果而产生的至少一个根消息认证码，其中，根装置的子树包括所述多个端节点装置的从属于根装置的子集；以及通过集线器装置验证所述至少一个根消息认证码。
-
公开(公告)号：CN120020785A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411607752.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于防止重放攻击的通用闪存（UFS）设备、其操作方法以及UFS系统。UFS设备包括：存储器，包括重放保护存储块（RPMB）区域，该RPMB区域包括存储第二写入失败索引的一个或多个索引字段；以及存储器控制器，包括存储一个或多个指令的至少一个控制器存储器，其中，该存储器控制器被配置为执行一个或多个指令以使UFS设备：从外部设备接收RPMB写入请求，该RPMB写入请求包括第一写入失败索引、元信息以及基于第一写入失败索引和元信息生成的第一消息认证码，并基于第一写入失败索引和第二写入失败索引确定是否对外部设备执行认证操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112239860B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010679035.8
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/02
Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
-
公开(公告)号：CN112239860A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010679035.8
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/02
Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
-
公开(公告)号：CN103035620A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210377876.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H05K9/00
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12044 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了一种屏蔽了EMI的半导体封装件、一种屏蔽了EMI的基板模块和一种EMI屏蔽件。所述屏蔽了EMI的半导体封装件包括：半导体封装件；EMI屏蔽层，形成在半导体封装件的至少一部分表面上。EMI屏蔽层包括：基体层；金属层，位于基体层上；以及第一种子颗粒，位于基体层和金属层之间的界面中。与传统的在器件级执行的屏蔽工艺不同，可以在安装基板级执行屏蔽工艺，因此可以在短时间内以低成本高生产率制造半导体封装件和基板模块。
-
公开(公告)号：CN1320644C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200310118852.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/056 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2225/06593 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124
Abstract: 一种半导体芯片封装，包括：半导体芯片，该芯片具有从有源第一表面到无源第二表面的贯穿其中的通孔。第一导电焊盘在所述半导体芯片的有源第一表面上至少部分地围绕所述通孔。该封装还包括印刷电路板，其具有一个连接到所述半导体芯片的无源第二表面上的第一表面以及与所述半导体芯片的通孔对齐的第二导电焊盘。导电材料充满所述通孔，并接触所述第一和第二导电焊盘。
-
公开(公告)号：CN1532924A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200310118852.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/056 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2225/06593 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124
Abstract: 一种半导体芯片封装，包括：半导体芯片，该芯片具有从有源第一表面到无源第二表面的贯穿其中的通孔。第一导电焊盘在所述半导体芯片的有源第一表面上至少部分地围绕所述通孔。该封装还包括印刷电路板，其具有一个连接到所述半导体芯片的无源第二表面上的第一表面以及与所述半导体芯片的通孔对齐的第二导电焊盘。导电材料充满所述通孔，并接触所述第一和第二导电焊盘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.025 seconds)
