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公开(公告)号：CN103312148A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210321399.4
申请日：2012-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02M1/44 , H02M1/08 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H03K17/687 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H02M1/08 , H02M3/337 , H03K2217/0036 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081
Abstract: 一种电源管理芯片和包括该电源管理芯片的电源管理器件。电源管理芯片包括：至少一个功率开关；以及驱动器单元，其用于生成用于控制该功率开关的驱动信号，并包括在与该功率开关相同的衬底上形成的一个或多个电路单元。
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公开(公告)号：CN103094320A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210344919.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/785 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供包括III-V族材料的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：硅基板，包括孔；硬掩模，在基板上围绕孔形成；第一材料层，填充在孔内并形成在硬掩模上；上材料层，形成在第一材料层上；和器件层，形成在上材料层上，其中第一材料层是III-V族材料层。III-V族材料层可以是III-V族化合物半导体层。上材料层可以是第一材料层的一部分。上材料层可以使用与第一材料层相同的材料或不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN102569642A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110404641.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
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公开(公告)号：CN102034861A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010292444.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/207 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。
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公开(公告)号：CN101794812A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010003917.9
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：栅电极；沟道，在栅电极上方由磁材料形成，以选择性地传输自旋极化的电子；源极，在沟道上；漏极和输出电极，在沟道上，输出从源极传输的电子。栅电极可控制沟道的磁化状态，以选择性地传输从源极注入到沟道的电子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101719510A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910177796.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。
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公开(公告)号：CN1244713C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN02106239.0
申请日：2002-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3402
Abstract: 一种溅射装置，包括溅射室，放置在溅射室中的靶极，以及在靶极前面产生旋转磁场的磁场发生器。该磁场发生器包括朝向该靶极背面的主磁场产生部件，并且相对于穿过该靶极中心的垂直线水平偏移。主磁场产生部件的磁环形成一面向靶极中心部分和边缘部分的位置有穿过磁环的开口的磁性围栏。该磁场产生部分因此在靶极前面产生一非均匀分布的磁场。一个衬底被放置在溅射室内部，面对靶极的前面。由靶极前面溅射出的原子在衬底上形成一金属层。该被溅射出的原子的动作被该磁场有效地控制着。
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公开(公告)号：CN102034861B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201010292444.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/207 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。
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公开(公告)号：CN101794812B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010003917.9
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：栅电极；沟道，在栅电极上方由磁材料形成，以选择性地传输自旋极化的电子；源极，在沟道上；漏极和输出电极，在沟道上，输出从源极传输的电子。栅电极可控制沟道的磁化状态，以选择性地传输从源极注入到沟道的电子。
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公开(公告)号：CN103928516A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310376017.2
申请日：2013-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/2815 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7803
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻基板的上表面而形成；栅极，沿着沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在沟槽的侧壁与栅极之间以及在沟槽的底表面与栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在基板的上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在沟槽的底表面上；第一阱区，形成在第一源极区与漂移区之间；以及第二阱区，形成在第二源极区与漂移区之间，其中第一和第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。
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